半导体集成电路器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98803082.9

申请日：

1998-03-04

公开(公告)号：

CN1249850A

公开(公告)日：

2000-04-05

发明(设计)人：

田边义和酒井哲夏秋信义

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L21316 H01L218247

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-04-05	公开	公开
2017-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县川崎市中原区下沼部1753番地变更后:日本东京都
2003-07-23	授权	授权
2018-03-27	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:19980304 授权公告日:20030723
2000-05-31	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101480967225 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL988030829 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立制作所变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川县川崎市中原区下沼部1753番地登记生效日:20121105

共 50 条

[1]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

田边义和 ;

山本直树 ;

三谷真一郎 ;

花冈裕子 .

中国专利 :CN1187813C ,1999-11-24

[2]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

所附一之 ;

中岛理博 ;

宫本佳幸 ;

深山吉生 .

中国专利 :CN1879195A ,2006-12-13

[3]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

宫崎忠一 ;

阿部由之 ;

植松俊英 ;

木村稔 ;

铃木一成 ;

小田切政雄 ;

须贺秀幸 ;

高田学 .

中国专利 :CN100407404C ,2005-07-13

[4]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

田边义和 ;

酒井哲 ;

夏秋信义 .

中国专利 :CN100364056C ,2004-08-18

[5]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

古川亮一 ;

酒井哲 ;

山本智志 .

中国专利 :CN1301549C ,2003-05-28

[6]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

田边义和 ;

酒井哲 ;

夏秋信义 .

中国专利 :CN1317744C ,2004-08-18

[7]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

阿部由之 .

中国专利 :CN1893021A ,2007-01-10

[8]

制造半导体集成电路器件的方法 [P].

宫崎忠一 ;

阿部由之 .

中国专利 :CN101002307A ,2007-07-18

[9]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

大塚文雄 ;

山本智志 ;

酒井哲 .

中国专利 :CN1420546A ,2003-05-28

[10]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

宫崎忠一 ;

阿部由之 ;

植松俊英 ;

木村稔 ;

铃木一成 ;

小田切政雄 ;

须贺秀幸 ;

高田学 .

中国专利 :CN101290907A ,2008-10-22

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