无铅高介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410314961.X

申请日：

2014-07-03

公开(公告)号：

CN104058740A

公开(公告)日：

2014-09-24

发明(设计)人：

吴金剑黄祥贤林志盛

申请人：

申请人地址：

362000 福建省泉州市高新技术产业园（江南园）紫华路4号

IPC主分类号：

C04B35468

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

李秀梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-24	公开	公开
2019-08-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/468 登记生效日:20190726 变更事项:专利权人变更前权利人:福建火炬电子科技股份有限公司变更后权利人:福建毫米电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:362000 福建省泉州市高新技术产业园（江南园）紫华路4号变更后权利人:362000 福建省泉州市鲤城区江南火炬工业区
2016-08-03	授权	授权
2014-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101591107270 IPC(主分类):C04B 35/468 专利申请号:201410314961X 申请日:20140703
2020-06-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/468 登记生效日:20200526 变更事项:专利权人变更前权利人:福建毫米电子有限公司变更后权利人:福建火炬电子科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:362000 福建省泉州市鲤城区江南火炬工业区变更后权利人:362000 福建省泉州市鲤城区江南高新技术电子信息园区紫华路4号

共 50 条

[1]

高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

吴金剑 ;

林志盛 ;

黄祥贤 ;

宋运雄 ;

陈永虹 ;

谢显斌 ;

许金飘 .

中国专利 :CN105060877B ,2015-11-18

[2]

中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

张志伟 ;

覃杏柳 .

中国专利 :CN108002836A ,2018-05-08

[3]

一种中介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

陈国华 ;

康晓玲 ;

狄洁昌 ;

徐华蕊 ;

张小文 ;

杨云 .

中国专利 :CN102358698A ,2012-02-22

[4]

复合高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

董和磊 .

中国专利 :CN102826847A ,2012-12-19

[5]

温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

王旭彬 ;

王顺 ;

罗伟嘉 .

中国专利 :CN113773070A ,2021-12-10

[6]

低温烧结高介电常数陶瓷材料及其制造方法 [P].

李启云 .

中国专利 :CN106830922A ,2017-06-13

[7]

高介电常数微波介质陶瓷材料 [P].

艾瑞克·P·K ;

吕文中 ;

汪小红 .

中国专利 :CN1673179A ,2005-09-28

[8]

低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

张启龙 ;

杨辉 ;

孙慧萍 .

中国专利 :CN101381230A ,2009-03-11

[9]

低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

张树人 ;

方梓烜 ;

唐斌 .

中国专利 :CN107986774A ,2018-05-04

[10]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

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