半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510728351.9

申请日：

2015-10-30

公开(公告)号：

CN105575423B

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

横山佳巧石井雄一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G11C11413

IPC分类号：

G11C502

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;董典红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20151030
2016-05-11	公开	公开
2021-11-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101933136A ,2010-12-29

[2]

半导体存储器件 [P].

崔相武 .

中国专利 :CN103578539B ,2014-02-12

[3]

半导体存储器件 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN103460373A ,2013-12-18

[4]

半导体存储器件 [P].

石仓聪 ;

赤松宽范 ;

井东数雄 ;

山上由展 .

中国专利 :CN1979691A ,2007-06-13

[5]

半导体存储器件 [P].

只木芳隆 ;

村田纯 ;

关口敏宏 ;

青木英雄 ;

川北惠三 ;

内山博之 ;

西村美智夫 ;

田中道夫 ;

江崎佑治 ;

齐藤和彦 ;

汤原克夫 ;

赵成洙 .

中国专利 :CN1303693C ,2004-10-27

[6]

半导体存储器件 [P].

山冈雅直 ;

长田健一 ;

柳泽一正 .

中国专利 :CN100508068C ,2004-07-28

[7]

半导体存储器件 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101933134A ,2010-12-29

[8]

半导体存储器件 [P].

增尾昭 .

中国专利 :CN101165806A ,2008-04-23

[9]

半导体存储器件 [P].

山上由展 .

中国专利 :CN101030447A ,2007-09-05

[10]

半导体存储器件 [P].

山上由展 .

中国专利 :CN1747062A ,2006-03-15

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