一种单晶硅片无掩膜反应离子蚀刻绒面制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510247931.6

申请日：

2015-05-15

公开(公告)号：

CN104979410A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

施成军

申请人：

申请人地址：

226600 江苏省南通市海安县海安镇黄海西路188号1幢

IPC主分类号：

H01L310236

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316

代理人：

滑春生

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-14	公开	公开
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633319124 IPC(主分类):H01L 31/0236 专利申请号:2015102479316 申请日:20150515
2017-03-15	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅片、单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池 [P].

于天水 ;

陈辉 ;

林鹏飞 ;

董必亮 ;

王永谦 ;

陈刚 .

中国专利 :CN119208415A ,2024-12-27

[2]

单晶硅片、单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池 [P].

于天水 ;

董必亮 ;

林鹏飞 ;

陈辉 ;

王永谦 ;

陈刚 .

中国专利 :CN119208414A ,2024-12-27

[3]

单晶硅片、单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池 [P].

于天水 ;

彭录军 ;

颜宇羽 ;

陈辉 ;

王永谦 ;

陈刚 .

中国专利 :CN119208413A ,2024-12-27

[4]

类单晶硅片绒面结构及绒面结构的制绒方法及应用 [P].

杨亚娣 .

中国专利 :CN107681011A ,2018-02-09

[5]

一种单晶硅片的绒面制备方法 [P].

王涛 ;

张鹏 ;

杨蕾 ;

余波 .

中国专利 :CN110391317B ,2019-10-29

[6]

一种准单晶硅片绒面的制备方法 [P].

郭进 ;

刘文峰 ;

杨晓生 .

中国专利 :CN102618938A ,2012-08-01

[7]

一种单晶硅片的制绒方法 [P].

姜翰钦 .

中国专利 :CN106835288A ,2017-06-13

[8]

单晶硅制绒添加剂、制绒方法以及绒面单晶硅片制备方法 [P].

李新普 ;

高志博 ;

贾锐 .

中国专利 :CN111455467A ,2020-07-28

[9]

单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池 [P].

龚道仁 ;

张良 ;

辛科 ;

张景 ;

赵泽 ;

周锡伟 .

中国专利 :CN115172157B ,2024-06-18

[10]

一种准单晶硅片的制绒方法 [P].

金若鹏 .

中国专利 :CN102306681A ,2012-01-04

← 1 2 3 4 5 →