一种提高刻蚀药液寿命的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710259493.4

申请日：

2017-04-20

公开(公告)号：

CN107098595A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

朱军李龙庭陈霞王杰李刚

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区长宁大道888号

IPC主分类号：

C03C1500

IPC分类号：

代理机构：

昆明合众智信知识产权事务所 53113

代理人：

张玺

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-05	授权	授权
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749366788 IPC(主分类):C03C 15/00 专利申请号:2017102594934 申请日:20170420
2022-06-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C03C 15/00 登记生效日:20220524 变更事项:专利权人变更前权利人:通威太阳能（合肥）有限公司变更后权利人:通威太阳能（安徽）有限公司变更事项:地址变更前权利人:230088 安徽省合肥市高新区长宁大道888号变更后权利人:230088 安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角
2017-08-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高发射极方块电阻的湿法刻蚀工艺 [P].

鲁伟明 ;

初仁龙 .

中国专利 :CN102776515A ,2012-11-14

[2]

一种perc电池的背面刻蚀工艺 [P].

刘凯 ;

徐承宗 ;

石剑 ;

章康平 ;

王建明 ;

宋登元 ;

刘勇 .

中国专利 :CN115663071A ,2023-01-31

[3]

一种提高电池循环寿命的高温和膏工艺 [P].

包有富 ;

陈胜 ;

陈学良 ;

胡国柱 ;

李治德 .

中国专利 :CN102074695A ,2011-05-25

[4]

一种电场辅助的硅通孔刻蚀工艺 [P].

廖广兰 ;

史铁林 ;

孙博 ;

盛文军 ;

张康 ;

汤自荣 ;

夏奇 ;

高阳 ;

谭先华 .

中国专利 :CN102956548B ,2013-03-06

[5]

一种提高GaAs刻蚀均匀性的方法 [P].

关永莉 ;

田海军 ;

马淑芳 ;

韩蕊蕊 ;

李天保 .

中国专利 :CN104112660A ,2014-10-22

[6]

一种提高斜面刻蚀良率的方法 [P].

吕相林 .

中国专利 :CN112652530A ,2021-04-13

[7]

一种提高起停电池低温启动性能的方法及工艺 [P].

毛洁 ;

楼志强 ;

徐冬明 ;

董庆亮 .

中国专利 :CN112349976A ,2021-02-09

[8]

一种提高电容炭的纯度的方法 [P].

袁淑霞 ;

周敬杰 .

中国专利 :CN113479881A ,2021-10-08

[9]

一种金属刻蚀工艺 [P].

周瑞平 ;

张东升 .

中国专利 :CN115361792A ,2022-11-18

[10]

一种聚合物改性硅溶胶的制备工艺 [P].

仲伟嫱 .

中国专利 :CN107253726A ,2017-10-17

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