三维半导体纳米结构阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610035748.0

申请日：

2006-06-01

公开(公告)号：

CN1872659A

公开(公告)日：

2006-12-06

发明(设计)人：

任山吴起白赖灿雄龚晓丹许宁生陈军

申请人：

申请人地址：

510275广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

B82B100

IPC分类号：

B82B300 H01L2130 H01L2902 H01L2906 H01L2100

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：

陈燕娴

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101617847985 IPC(主分类):B82B 3/00 专利号:ZL2006100357480 申请日:20060601 授权公告日:20091014 终止日期:20140601
2006-12-06	公开	公开
2007-01-31	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种三维纳米结构阵列、制备方法及其应用 [P].

李立强 ;

张文星 ;

丁艳丽 ;

王沙沙 ;

贾满满 ;

谷旭 ;

于佳卉 .

中国专利 :CN106981531B ,2017-07-25

[2]

三维堆叠的半导体纳米线结构及其制备方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 ;

任青华 ;

陈治西 ;

刘晨鹤 ;

赵兰天 ;

陈玲丽 ;

王曦 .

中国专利 :CN111435642B ,2020-07-21

[3]

三维半导体结构及其制备方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN115799222B ,2025-01-10

[4]

三维半导体结构及其制备方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN118335720B ,2025-09-12

[5]

三维半导体结构及其制备方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN115799223B ,2025-01-10

[6]

三维半导体结构及其制备方法 [P].

郭帅 .

中国专利 :CN118335720A ,2024-07-12

[7]

半导体材料中的长纳米结构阵列及其方法 [P].

明强·易 ;

马修·L·斯卡林 ;

加布里埃尔·马特斯 ;

道恩·L·希尔肯 ;

齐广·李 ;

塞尔文·姆肯海恩 .

中国专利 :CN103460417A ,2013-12-18

[8]

三维半导体结构和三维半导体结构的制备方法 [P].

郭帅 ;

左明光 ;

白世杰 .

中国专利 :CN116761419B ,2024-11-22

[9]

三维半导体装置及其三维逻辑阵列结构 [P].

陈士弘 .

中国专利 :CN104517964A ,2015-04-15

[10]

双层隔离三维阵列式半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102544010A ,2012-07-04

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