异质结双极型晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110061777.5

申请日：

2011-03-15

公开(公告)号：

CN102142457A

公开(公告)日：

2011-08-03

发明(设计)人：

孙涛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L29737

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908 H01L21331

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101472338255 IPC(主分类):H01L 29/737 专利申请号:2011100617775 申请日:20110315
2011-08-03	公开	公开
2017-05-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752383818 IPC(主分类):H01L 29/737 专利申请号:2011100617775 申请公布日:20110803
2014-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701281029 IPC(主分类):H01L 29/737 专利申请号:2011100617775 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140505

共 50 条

[1]

异质结双极型晶体管及其制备方法 [P].

闫书萌 ;

孙钱 ;

刘建勋 ;

周宇 ;

孙秀建 ;

钟耀宗 ;

陈昕 ;

李倩 ;

杨辉 .

中国专利 :CN119403141A ,2025-02-07

[2]

异质结双极型晶体管及其制作方法 [P].

张世理 ;

汉斯·诺斯特罗姆 ;

沃尔夫·斯密思 ;

吴东平 ;

马悦优 .

中国专利 :CN103474457B ,2013-12-25

[3]

异质结双极型晶体管及其制造方法 [P].

村山启一 ;

田村彰良 ;

能米雅信 .

中国专利 :CN1577883A ,2005-02-09

[4]

异质结双极型晶体管及其制造方法 [P].

宫岛贤一 ;

田村彰良 ;

村山启一 .

中国专利 :CN100487910C ,2005-09-14

[5]

异质结双极型晶体管及其制造方法 [P].

F·帕基特 .

中国专利 :CN101051651A ,2007-10-10

[6]

异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法 [P].

姜清华 ;

邹道华 ;

潘林 ;

吴炫聪 .

中国专利 :CN116314304B ,2024-03-12

[7]

SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法 [P].

孙涛 .

中国专利 :CN101819994A ,2010-09-01

[8]

异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管 [P].

周国 ;

陈卓 ;

宋洁晶 ;

崔雍 ;

孙虎 ;

付兴中 ;

高三磊 ;

高昶 ;

孙天玲 ;

张力江 .

中国专利 :CN117457492A ,2024-01-26

[9]

异质结双极型晶体管及其形成方法 [P].

李新宇 ;

丁帼君 ;

赵亚楠 ;

姜清华 .

中国专利 :CN117476754A ,2024-01-30

[10]

异质结双极型晶体管及其制作方法 [P].

黄治浩 ;

蔡文必 ;

郭佳衢 ;

魏鸿基 .

中国专利 :CN113066723B ,2021-07-02

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