一种利用辅助结构制备多晶SiGe栅的PMOS控制电路方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510823392.6

申请日：

2015-11-24

公开(公告)号：

CN105489497A

公开(公告)日：

2016-04-13

发明(设计)人：

张海光舒钰张佳胡霄郭卫展李明许奎尤浩

申请人：

申请人地址：

710068 陕西省西安市雁塔区光华路1号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2951

代理机构：

西北工业大学专利中心 61204

代理人：

顾潮琪

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160413
2016-04-13	公开	公开
2016-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101659563893 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015108233926 申请日:20151124

共 50 条

[1]

利用辅助结构制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法 [P].

张佳 ;

舒钰 ;

张海光 ;

胡霄 ;

郭卫展 ;

李明 ;

许奎 ;

尤浩 .

中国专利 :CN105355562A ,2016-02-24

[2]

一种制备具有多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路的方法 [P].

舒钰 ;

毕文婷 ;

陈尔钐 ;

胡霄 .

中国专利 :CN105390400A ,2016-03-09

[3]

用微米级工艺制备多晶SiGe栅的纳米级PMOS控制电路方法 [P].

舒钰 ;

陈尔钐 ;

毕文婷 ;

胡霄 .

中国专利 :CN105374690A ,2016-03-02

[4]

一种利用多层辅助结构制备纳米级PMOS控制电路的方法 [P].

舒钰 ;

胡霄 ;

毕文婷 ;

张帆 .

中国专利 :CN105390401A ,2016-03-09

[5]

一种制备纳米级PMOS控制电路的方法 [P].

张琦 ;

舒钰 ;

胡霄 ;

曹有权 .

中国专利 :CN105470142A ,2016-04-06

[6]

在微米级工艺利用辅助结构制备纳米级PMOS控制电路方法 [P].

张帆 ;

毕文婷 ;

舒钰 ;

胡霄 ;

曹有权 .

中国专利 :CN105470141A ,2016-04-06

[7]

用微米级工艺制备纳米级PMOS控制电路方法 [P].

张骅 ;

张文华 ;

舒钰 ;

胡霄 ;

曹有权 .

中国专利 :CN105405767A ,2016-03-16

[8]

基于多层辅助结构制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法 [P].

张鹤鸣 ;

戴显英 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

胡辉勇 ;

宋建军 ;

王冠宇 ;

徐小波 ;

屈江涛 .

中国专利 :CN101359625A ,2009-02-04

[9]

一种SiN掩蔽技术制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法 [P].

张鹤鸣 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

舒斌 ;

宋建军 ;

王冠宇 ;

赵丽霞 ;

徐小波 ;

屈江涛 .

中国专利 :CN101359627B ,2009-02-04

[10]

用微米级工艺制备多晶SiGe栅纳米级CMOS集成电路方法 [P].

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

舒斌 ;

宣荣喜 ;

戴显英 ;

宋建军 ;

赵丽霞 ;

屈江涛 ;

徐小波 .

中国专利 :CN101359631B ,2009-02-04

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