半导体晶片及半导体装置以及制作半导体晶片及装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910265759.1

申请日：

2009-12-31

公开(公告)号：

CN102117866B

公开(公告)日：

2011-07-06

发明(设计)人：

薛萍袁述

申请人：

申请人地址：

中国香港

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

孟锐

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20091231 授权公告日:20130109 终止日期:20211231
2013-01-09	授权	授权
2011-07-06	公开	公开
2011-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101098307944 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009102657591 申请日:20091231

共 50 条

[1]

半导体晶片及半导体装置 [P].

楠木淳也 ;

平野孝 .

中国专利 :CN101044617A ,2007-09-26

[2]

半导体晶片及半导体装置 [P].

松尾哲二 .

中国专利 :CN102593160A ,2012-07-18

[3]

半导体装置及半导体晶片 [P].

古田建一 ;

辻本雅夫 ;

寺田信广 ;

原口正博 ;

井上刚 ;

金子裕一 ;

黑木弘树 ;

古平贵章 .

中国专利 :CN114497176A ,2022-05-13

[4]

半导体晶片及半导体装置 [P].

大野天颂 ;

堂前佑辅 .

中国专利 :CN110838515A ,2020-02-25

[5]

半导体晶片及在半导体晶片中制造半导体装置的方法 [P].

W·扬奇尔 ;

H-J·舒尔策 ;

H·韦伯 .

中国专利 :CN106128967A ,2016-11-16

[6]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

日本专利 :CN111954926B ,2024-04-30

[7]

半导体装置、半导体晶片与制造半导体晶片的方法 [P].

林孟汉 ;

黄家恩 .

中国专利 :CN114725123A ,2022-07-08

[8]

半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法 [P].

田渕慎一 ;

阿多保夫 .

中国专利 :CN111954926A ,2020-11-17

[9]

半导体晶片、半导体晶片的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

小池貴 ;

高桑真步 .

中国专利 :CN112447825A ,2021-03-05

[10]

半导体装置的制造方法、半导体晶片以及半导体装置 [P].

保利幸隆 .

中国专利 :CN101145521B ,2008-03-19

← 1 2 3 4 5 →