用于发射和接收电磁辐射的装置

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专利类型
发明
申请号
CN200680002564.2
申请日
2006-01-09
公开(公告)号
CN101107751A
公开(公告)日
2008-01-16
发明(设计)人
T·宾策尔
申请人
申请人地址
德国斯图加特
IPC主分类号
H01Q1324
IPC分类号
H01Q2500
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
曹若;赵辛
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
用于发射和接收电磁辐射的系统 [P]. 
T·斯特罗格 ;
G·斯图克 ;
S·威廉姆森 .
中国专利 :CN105917200B ,2016-08-31
[2]
电磁辐射的发射和所发射的电磁辐射的特性控制 [P]. 
伯特·黑希特 ;
延斯·普夫劳姆 ;
勒内·库洛克 ;
斯特凡·蔡斯纳 ;
莫妮卡·艾默灵 ;
菲利普·格里姆 ;
恩诺·沙茨 .
中国专利 :CN114628437A ,2022-06-14
[3]
用于发射电磁辐射的装置 [P]. 
R.菲克斯 ;
P.松斯特勒姆 ;
G.德勒 .
中国专利 :CN104251833A ,2014-12-31
[4]
用于发射或接收电磁辐射的电子装置及方法 [P]. 
乔纳森·西尔瓦诺·德索萨 ;
格诺特·格罗伯 .
中国专利 :CN111106425A ,2020-05-05
[5]
用于发送和接收电磁辐射的设备 [P]. 
M·朔尔 ;
M·迈尔 ;
K·鲍尔 .
中国专利 :CN111512494B ,2020-08-07
[6]
用于制造发射电磁辐射的组件的方法和发射电磁辐射的组件 [P]. 
于尔根·莫斯布格尔 ;
阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔 ;
马西亚斯·沃尔夫 ;
格奥尔格·迪舍尔 .
中国专利 :CN105229802A ,2016-01-06
[7]
用于发射电磁辐射的微装置 [P]. 
杰斯伯·格鲁克斯塔德 ;
达尔文·帕里马 .
中国专利 :CN103858015A ,2014-06-11
[8]
用于产生电磁辐射的辐射源和用于产生电磁辐射的方法 [P]. 
M·M·J·W·范赫彭 .
中国专利 :CN101657760A ,2010-02-24
[9]
用于生产发射电磁辐射的半导体芯片的方法和发射电磁辐射的半导体芯片 [P]. 
C·卡努特施 ;
P·施陶斯 ;
K·施特罗伊贝尔 .
中国专利 :CN1679176A ,2005-10-05
[10]
用于探测电磁辐射的装置 [P]. 
J-L·奥夫里尔-巴菲特 ;
J·迈兰 .
中国专利 :CN102565551A ,2012-07-11