一种制备陶瓷先驱体聚碳硅烷的新方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210540188.X
申请日
2012-12-14
公开(公告)号
CN102977375A
公开(公告)日
2013-03-20
发明(设计)人
杨凯 马小民 张冀 蒋伟鸣 唐小虎
申请人
申请人地址
215000 江苏省苏州市高新区科技城科灵路12号
IPC主分类号
C08G7760
IPC分类号
代理机构
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法律状态
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共 50 条
[1]
陶瓷先驱体聚碳硅烷的超临界流体合成方法 [P]. 
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杨大祥 .
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[2]
一种含铍聚碳硅烷陶瓷先驱体的制备方法 [P]. 
唐云 ;
黄小忠 ;
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彭立华 ;
范业成 ;
李志 ;
陈彦 .
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[3]
一种含锆聚碳硅烷陶瓷先驱体的制备方法及装置 [P]. 
谢征芳 ;
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[4]
一种聚碳硅烷陶瓷先驱体材料制备方法 [P]. 
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陈柏林 ;
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张佚林 ;
张宗清 ;
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[5]
陶瓷先驱体聚碳硅烷的合成方法 [P]. 
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田秀梅 ;
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[6]
聚碳硅烷先驱体的制备方法 [P]. 
王小宙 ;
王浩 ;
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[7]
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[8]
一种液态聚碳硅烷陶瓷先驱体的制备方法及装置 [P]. 
郑桦 ;
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陈丽滨 ;
杨伟凯 .
中国专利 :CN114752063A ,2022-07-15
[9]
一种聚碳硅烷陶瓷先驱体材料及其制备方法和应用 [P]. 
贺卫东 ;
郑桦 ;
陈丽滨 .
中国专利 :CN114891228A ,2022-08-12
[10]
一种含锆聚碳硅烷陶瓷先驱体的制备方法及其装置 [P]. 
郑桦 ;
陈丽滨 ;
贺卫东 .
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