制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310369745.0

申请日：

2013-08-22

公开(公告)号：

CN103715084A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

山田敦史温井健司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L29778

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	公开	公开
2014-08-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101704478707 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2013103697450 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:创世舫电子日本株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本神奈川县变更事项:申请人变更前权利人:富士通半导体股份有限公司变更后权利人:无登记生效日:20140804
2014-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582050812 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2013103697450 申请日:20130822
2018-07-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/331 申请公布日:20140409

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN103715241B ,2014-04-09

[2]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中山达峰 ;

宫本广信 ;

冈本康宏 .

中国专利 :CN108400170A ,2018-08-14

[4]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

尾崎史朗 .

中国专利 :CN103311290A ,2013-09-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN104465743A ,2015-03-25

[6]

半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

金峻渊 ;

卓泳助 ;

金在均 ;

金柱成 ;

朴永洙 ;

蔡秀熙 .

中国专利 :CN104576861A ,2015-04-29

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

五十岚信行 ;

鬼泽岳 ;

西藤哲史 .

中国专利 :CN103199103A ,2013-07-10

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713B ,2025-02-28

[9]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

增本一郎 .

中国专利 :CN105870010A ,2016-08-17

[10]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

平井友洋 ;

川口宏 .

中国专利 :CN105938799A ,2016-09-14

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