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晶体管和形成晶体管的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202080054770.8
申请日
:
2020-07-31
公开(公告)号
:
CN114175276A
公开(公告)日
:
2022-03-11
发明(设计)人
:
M·纳哈尔
M·米奇
申请人
:
申请人地址
:
美国爱达荷州
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L2910
H01L21336
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
王龙
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-11
公开
公开
2022-03-29
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200731
共 50 条
[1]
晶体管和形成晶体管的方法
[P].
M·纳哈尔
论文数:
0
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0
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0
M·纳哈尔
;
V·N·安东诺夫
论文数:
0
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0
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0
V·N·安东诺夫
;
D·F·范
论文数:
0
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D·F·范
;
A·莫巴尔利
论文数:
0
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0
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0
A·莫巴尔利
.
中国专利
:CN114207834A
,2022-03-18
[2]
晶体管和形成晶体管的方法
[P].
M·纳哈尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
M·纳哈尔
;
V·N·安东诺夫
论文数:
0
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0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
V·N·安东诺夫
;
D·F·范
论文数:
0
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0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
D·F·范
;
A·莫巴尔利
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
A·莫巴尔利
.
美国专利
:CN114207834B
,2025-04-08
[3]
晶体管和晶体管的形成方法
[P].
赵猛
论文数:
0
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0
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0
赵猛
;
三重野文健
论文数:
0
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0
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0
三重野文健
.
中国专利
:CN103545200B
,2014-01-29
[4]
场效应晶体管和形成晶体管的方法
[P].
A·布赖恩特
论文数:
0
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0
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0
A·布赖恩特
;
E·J·诺瓦克
论文数:
0
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0
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0
E·J·诺瓦克
.
中国专利
:CN103227197A
,2013-07-31
[5]
用于形成晶体管的方法
[P].
法蓝·努里
论文数:
0
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0
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法蓝·努里
;
洛里·D·华盛顿
论文数:
0
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洛里·D·华盛顿
;
维克托·莫罗茨
论文数:
0
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0
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0
维克托·莫罗茨
.
中国专利
:CN100561689C
,2007-09-05
[6]
晶体管器件和形成晶体管器件的方法
[P].
J·李
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0
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0
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0
J·李
;
J·杰里约瑟夫
论文数:
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0
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0
J·杰里约瑟夫
;
林启荣
论文数:
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0
林启荣
;
L·彭
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0
L·彭
;
L·S·苏赛
论文数:
0
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0
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0
L·S·苏赛
.
中国专利
:CN114530485A
,2022-05-24
[7]
集成晶体管和形成集成晶体管的方法
[P].
今本拓也
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北极星特许集团有限责任公司
北极星特许集团有限责任公司
今本拓也
.
美国专利
:CN112397510B
,2024-04-23
[8]
晶体管器件和形成晶体管器件的方法
[P].
J·李
论文数:
0
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0
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0
机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
J·李
;
J·杰里约瑟夫
论文数:
0
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0
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0
机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
J·杰里约瑟夫
;
林启荣
论文数:
0
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0
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机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
林启荣
;
L·彭
论文数:
0
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0
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机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
L·彭
;
L·S·苏赛
论文数:
0
引用数:
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机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
L·S·苏赛
.
:CN114530485B
,2025-07-29
[9]
集成晶体管和形成集成晶体管的方法
[P].
今本拓也
论文数:
0
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0
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0
今本拓也
.
中国专利
:CN112397510A
,2021-02-23
[10]
晶体管及形成晶体管的方法
[P].
M·纳哈尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
美光科技公司
美光科技公司
M·纳哈尔
;
V·N·安东诺夫
论文数:
0
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
V·N·安东诺夫
;
K·M·考尔道
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0
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
K·M·考尔道
;
M·米奇
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
M·米奇
;
刘鸿威
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
刘鸿威
;
J·B·赫尔
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机构:
美光科技公司
美光科技公司
J·B·赫尔
.
美国专利
:CN120500079A
,2025-08-15
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