半导体结构的形成方法、晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910816140.9
申请日
2019-08-30
公开(公告)号
CN112447510A
公开(公告)日
2021-03-05
发明(设计)人
郑二虎 宋佳
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号
H01L213065
IPC分类号
代理机构
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人
吴凡
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
郑二虎 ;
宋佳 .
中国专利 :CN112447510B ,2024-08-20
[2]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
李庆 .
中国专利 :CN112017946A ,2020-12-01
[3]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
李庆 .
中国专利 :CN112017946B ,2024-09-17
[4]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
郑二虎 .
中国专利 :CN112349588A ,2021-02-09
[5]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
杨鹏 ;
渠汇 ;
钱文明 ;
吉利 ;
唐睿智 ;
刘佳磊 .
中国专利 :CN112864092A ,2021-05-28
[6]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
郑二虎 ;
苏博 ;
张婷 .
中国专利 :CN112309978B ,2024-08-20
[7]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
郑二虎 ;
苏博 ;
张婷 .
中国专利 :CN112309978A ,2021-02-02
[8]
半导体结构的形成方法、晶体管 [P]. 
杨鹏 ;
渠汇 ;
钱文明 ;
吉利 ;
唐睿智 ;
刘佳磊 .
中国专利 :CN112864092B ,2024-03-08
[9]
半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法 [P]. 
宋化龙 .
中国专利 :CN103377942A ,2013-10-30
[10]
半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法 [P]. 
刘佳磊 .
中国专利 :CN103377937B ,2013-10-30