掺铕氧化钇@二氧化硅豆角状纳米电缆的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910217730.6

申请日：

2009-10-14

公开(公告)号：

CN101694018A

公开(公告)日：

2010-04-14

发明(设计)人：

王进贤董相廷张贺刘桂霞于文生

申请人：

申请人地址：

130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7989号

IPC主分类号：

D01D534

IPC分类号：

D01D102 H01B1300 B82B300 D01F908

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-14	公开	公开
2010-05-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101002366354 IPC(主分类):D01D 5/34 专利申请号:2009102177306 申请日:20091014
2011-02-09	授权	授权
2014-12-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101591312328 IPC(主分类):D01D 5/34 专利号:ZL2009102177306 申请日:20091014 授权公告日:20110209 终止日期:20131014

共 50 条

[1]

单分散纳米球形二氧化硅的制备方法及纳米二氧化硅 [P].

熊仕显 ;

蒋绪川 ;

余艾冰 .

中国专利 :CN104211073A ,2014-12-17

[2]

柔性二氧化硅粉体-二氧化硅复合纳米纤维膜制备方法 [P].

袁键礼 ;

邓伟 ;

陈善良 ;

李顺 ;

刘勇 .

中国专利 :CN114262985A ,2022-04-01

[3]

一种制备二氧化钛@二氧化硅同轴纳米管的方法 [P].

董相廷 ;

徐淑芝 ;

盖广清 ;

王进贤 ;

于文生 ;

刘桂霞 .

中国专利 :CN102400249B ,2012-04-04

[4]

一种纳米二氧化硅的制备方法 [P].

王彦欣 ;

黄林军 ;

唐建国 ;

王瑶 ;

王薇 ;

史建行 ;

孙秋禹 .

中国专利 :CN107934975B ,2018-04-20

[5]

荧光二氧化硅纳米球的制备 [P].

张永昶 .

中国专利 :CN102234507A ,2011-11-09

[6]

纳米二氧化硅制备方法 [P].

任天斌 ;

肖国权 ;

韩宇 .

中国专利 :CN103897436A ,2014-07-02

[7]

纳米多孔二氧化硅光学薄膜的制备方法 [P].

沈军 ;

杨帆 ;

孙骐 ;

吴广明 ;

倪星元 ;

周斌 .

中国专利 :CN1553219A ,2004-12-08

[8]

纳米二氧化铈包覆纳米球形二氧化硅复合颗粒的制备方法 [P].

朱达川 ;

周川 .

中国专利 :CN108569718A ,2018-09-25

[9]

中空二氧化硅纳米球及其制备方法 [P].

杜滨阳 ;

曹峥 ;

李镇冰 ;

梅爱雄 ;

张兴宏 ;

聂晶晶 ;

徐君庭 ;

范志强 .

中国专利 :CN101559950B ,2009-10-21

[10]

一种纳米二氧化硅的制备方法 [P].

蒋建华 .

中国专利 :CN108455620A ,2018-08-28

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