高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010176828.8
申请日
2020-03-13
公开(公告)号
CN111224647A
公开(公告)日
2020-06-02
发明(设计)人
励晔 黄飞明 赵文遐 贺洁 朱勤为
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区珠江路51号
IPC主分类号
H03K170812
IPC分类号
H03K17687
代理机构
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人
曹祖良;屠志力
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路 [P]. 
励晔 ;
黄飞明 ;
赵文遐 ;
贺洁 ;
朱勤为 .
中国专利 :CN111224647B ,2024-11-29
[2]
高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路 [P]. 
励晔 ;
黄飞明 ;
赵文遐 ;
贺洁 ;
朱勤为 .
中国专利 :CN211377999U ,2020-08-28
[3]
GaN功率管的脉冲驱动电路 [P]. 
李加取 ;
元金皓 ;
洪秀珍 ;
刘未 ;
陈昌杰 ;
魏毅鹏 .
中国专利 :CN204681331U ,2015-09-30
[4]
功率管的门极驱动电路及电机控制器 [P]. 
张太之 .
中国专利 :CN112737554B ,2025-11-14
[5]
功率管的门极驱动电路及电机控制器 [P]. 
张太之 .
中国专利 :CN112737554A ,2021-04-30
[6]
功率管的门极驱动电路及电机控制器 [P]. 
张太之 .
中国专利 :CN214315220U ,2021-09-28
[7]
GaN功率管驱动电路与电子装置 [P]. 
张程龙 ;
郭春明 ;
李盛峰 .
中国专利 :CN212183398U ,2020-12-18
[8]
功率管驱动电路 [P]. 
周宇坤 .
中国专利 :CN110417393A ,2019-11-05
[9]
一种用于GaN功率管的高侧双NMOS管分段驱动系统 [P]. 
余思远 ;
祝靖 ;
施刚 ;
张伟 ;
陆兆俊 ;
朱涛 .
中国专利 :CN113659966A ,2021-11-16
[10]
一种用于GaN功率管的高侧双NMOS管分段驱动系统 [P]. 
余思远 ;
祝靖 ;
施刚 ;
张伟 ;
陆兆俊 ;
朱涛 .
中国专利 :CN113659966B ,2024-06-28