氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99811961.X

申请日：

1999-10-08

公开(公告)号：

CN1344336A

公开(公告)日：

2002-04-10

发明(设计)人：

C·E·亨特

申请人：

申请人地址：

美国北卡罗莱纳

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2938 C30B2300 C30B2940

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-11-03	授权	授权
2002-04-10	公开	公开
2019-11-01	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:19991008 授权公告日:20041103

共 50 条

[1]

用氮化铝和氮化铝∶碳化硅合金制成的仿真钻石宝石 [P].

查尔斯·E·亨特 .

中国专利 :CN1273655C ,2002-01-02

[2]

一种氮化硅、碳化硅结合氮化铝泡沫陶瓷的制备方法 [P].

唐竹兴 ;

田帅 .

中国专利 :CN104311135A ,2015-01-28

[3]

一种碳化硅增强氮化铝陶瓷及其制备方法 [P].

查萍华 .

中国专利 :CN109320254A ,2019-02-12

[4]

一种氮化铝增强碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

郭兴忠 ;

杨辉 ;

高黎华 ;

傅培鑫 ;

马奇 ;

李海淼 .

中国专利 :CN100445235C ,2007-07-18

[5]

氮化铝-碳化硅复合膜及其制作方法 [P].

黄俊 ;

徐科 .

中国专利 :CN113363133B ,2024-06-28

[6]

氮化铝-碳化硅复合膜及其制作方法 [P].

黄俊 ;

徐科 .

中国专利 :CN113363133A ,2021-09-07

[7]

单晶碳化硅长晶原料、单晶碳化硅长晶方法及单晶碳化硅 [P].

余剑云 ;

黄秀松 ;

史悦 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117305986B ,2024-03-29

[8]

块状碳化硅单晶的生产 [P].

查尔斯·E·亨特 .

中国专利 :CN101426965A ,2009-05-06

[9]

碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶 [P].

榊原聪真 ;

神田贵裕 .

日本专利 :CN118147753A ,2024-06-07

[10]

氮化硅-碳化硅-刚玉匣钵及制备方法 [P].

王家邦 .

中国专利 :CN109721364A ,2019-05-07

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