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P型栅增强型HEMT器件及其制备方法

被引：0
申请号：
CN202211071930.7
申请日：
2022-09-02
公开(公告)号：
CN115312599A
公开(公告)日：
2022-11-08
发明(设计)人：
谢勇
申请人：
申请人地址：
243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区银黄东路999号数字硅谷产业园38栋101-401
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L21335
代理机构：
南京九致知识产权代理事务所(普通合伙) 32307
代理人：
严巧巧
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-08 公开 公开
2022-11-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20220902
共 50 条
[1]
p型栅增强型HEMT器件 [P]. 
张宝顺 ;
徐宁 ;
杜仲凯 .
中国专利 :CN208819832U ,2019-05-03
[2]
p型栅增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P]. 
付羿 ;
周名兵 .
中国专利 :CN112510087A ,2021-03-16
[3]
p型栅增强型HEMT器件及其制作方法 [P]. 
张宝顺 ;
徐宁 ;
杜仲凯 .
中国专利 :CN108962752A ,2018-12-07
[4]
基于P型栅的增强型HEMT及其制备方法 [P]. 
杜仲凯 ;
张炳良 ;
刘雷 .
中国专利 :CN114171387A ,2022-03-11
[5]
增强型HEMT器件的复合栅结构及其器件 [P]. 
赵起越 ;
张力 .
中国专利 :CN121240506A ,2025-12-30
[6]
一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
韩占飞 ;
刘苏杭 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113658856A ,2021-11-16
[7]
一种P-GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法 [P]. 
李祥东 ;
韩占飞 ;
刘苏杭 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113658856B ,2024-04-19
[8]
环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法 [P]. 
马晓华 ;
何云龙 ;
杨凌 ;
张濛 ;
郝跃 .
中国专利 :CN112838120A ,2021-05-25
[9]
P型栅HEMT器件 [P]. 
化梦媛 ;
陈俊廷 .
中国专利 :CN112670340B ,2022-12-23
[10]
P型栅HEMT器件及其制备方法 [P]. 
古佳茜 .
中国专利 :CN117810249A ,2024-04-02
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