场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780002181.X

申请日：

2007-07-12

公开(公告)号：

CN101371344B

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

小林正树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L2128 H01L21768 H01L23522 H01L2941 H01L29812

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-08-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101743989922 IPC(主分类):H01L 21/338 专利号:ZL200780002181X 申请日:20070712 授权公告日:20110420 终止日期:20160712
2011-04-20	授权	授权
2009-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

宫本广信 ;

安藤裕二 ;

冈本康宏 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

大田一树 ;

分岛彰男 ;

笠原健资 ;

村濑康裕 ;

松永高治 ;

山之口胜己 ;

岛胁秀德 .

中国专利 :CN101238560A ,2008-08-06

[2]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[3]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

国井彻郎 .

中国专利 :CN101079442A ,2007-11-28

[4]

场效应晶体管 [P].

桑原博一 ;

池田征明 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25

[5]

场效应晶体管 [P].

高谷秀史 .

日本专利 :CN119234316A ,2024-12-31

[6]

场效应晶体管 [P].

泷宫和男 ;

江端英昭 ;

桑原博一 ;

池田征明 ;

由井树人 .

中国专利 :CN101529609B ,2009-09-09

[7]

场效应晶体管 [P].

野上洋一 ;

堀口健一 ;

东坂范雄 ;

渡边伸介 ;

北野俊明 .

中国专利 :CN106098757B ,2016-11-09

[8]

场效应晶体管 [P].

村濑清一郎 ;

山本真衣子 ;

真多淳二 ;

清水浩二 .

中国专利 :CN105190901A ,2015-12-23

[9]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[10]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

← 1 2 3 4 5 →