晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510968504.7

申请日：

2015-12-22

公开(公告)号：

CN105470319A

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

张宏徐晓斌徐晓宙杜冲

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路99号

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

范晴;胡秋婵

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-22	授权	授权
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658485380 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2015109685047 申请日:20151222
2016-04-06	公开	公开
2021-02-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 31/0224 登记生效日:20210207 变更事项:专利权人变更前权利人:西安交通大学苏州研究院变更后权利人:张家港博佑光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路99号变更后权利人:215611 江苏省苏州市张家港市塘桥镇兄华路7号张家港博佑光电科技有限公司

共 50 条

[1]

双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

殷涵玉 ;

王登志 ;

王栩生 ;

章灵军 .

中国专利 :CN102683492B ,2012-09-19

[2]

晶体硅太阳能电池背电极 [P].

荀建华 ;

刘志刚 .

中国专利 :CN201048133Y ,2008-04-16

[3]

TBC背接触结构晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P].

余宗保 ;

王佳军 ;

施梓祺 ;

章伟 ;

张佳超 ;

何保杨 ;

翁航 .

中国专利 :CN118136703A ,2024-06-04

[4]

晶体硅太阳能电池背电极 [P].

荀建华 ;

刘志刚 .

中国专利 :CN101106163B ,2008-01-16

[5]

一种硅太阳能电池背场电极结构及其制备方法 [P].

张宏 ;

徐晓宙 ;

徐传骧 ;

徐晓斌 .

中国专利 :CN102231393A ,2011-11-02

[6]

晶体硅太阳能电池背电极图形结构 [P].

张原 ;

周超 ;

高纪凡 ;

陈红 ;

李森 .

中国专利 :CN111916509A ,2020-11-10

[7]

晶体硅太阳能电池背电极图形结构 [P].

张原 ;

周超 ;

高纪凡 ;

陈红 ;

李森 .

中国专利 :CN111916509B ,2025-08-12

[8]

晶体硅太阳能电池背电极图形结构 [P].

张原 ;

周超 ;

高纪凡 ;

陈红 ;

李森 .

中国专利 :CN212303685U ,2021-01-05

[9]

晶体硅太阳电池背点接触结构的制备方法 [P].

王懿喆 ;

周呈悦 ;

马小凤 ;

梅伟芳 .

中国专利 :CN101800267B ,2010-08-11

[10]

晶体硅太阳能电池的电极 [P].

孙伟 .

中国专利 :CN103178130A ,2013-06-26

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