半固体电解质、电极、带有半固体电解质层的电极和二次电池

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201880023968.2
申请日
2018-05-16
公开(公告)号
CN110521049A
公开(公告)日
2019-11-29
发明(设计)人
宇根本笃 上田克 饭岛敦史 田中明秀 川治纯 奥村壮文
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01M100567
IPC分类号
H01M413 H01M100568
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
龙淳;程采
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半固体电解液、半固体电解质、半固体电解质层、电极、二次电池 [P]. 
上田克 ;
川治纯 ;
饭岛敦史 ;
宇根本笃 ;
田中明秀 .
中国专利 :CN110235296A ,2019-09-13
[2]
半固体电解液、半固体电解质、半固体电解质层、电极和二次电池 [P]. 
上田克 ;
宇根本笃 ;
田中明秀 ;
饭岛敦史 ;
川治纯 .
中国专利 :CN110506355A ,2019-11-26
[3]
半固体电解液、半固体电解质、半固体电解质层和二次电池 [P]. 
川治纯 ;
上田克 ;
宇根本笃 ;
田中明秀 .
中国专利 :CN110506356A ,2019-11-26
[4]
半固体电解质层、电池片和二次电池 [P]. 
宇根本笃 ;
上田克 ;
饭岛敦史 ;
田中明秀 ;
川治纯 .
中国专利 :CN110024048A ,2019-07-16
[5]
固体电解质、正极、电解质层和二次电池 [P]. 
政田阳平 ;
青谷贵治 ;
道口健太郎 .
日本专利 :CN119452430A ,2025-02-14
[6]
固体电解质、活性材料层、电解质层和二次电池 [P]. 
道口健太郎 ;
政田阳平 ;
青谷贵治 ;
谷内洋 .
日本专利 :CN116888688B ,2024-12-31
[7]
固体电解质、活性物质层、电解质层和二次电池 [P]. 
政田阳平 ;
青谷贵治 ;
道口健太郎 .
中国专利 :CN118742976A ,2024-10-01
[8]
固体电解质、固体电解质层和固体电解质电池 [P]. 
上野哲也 ;
铃木长 .
日本专利 :CN114207897B ,2024-04-02
[9]
固体电解质、固体电解质层和固体电解质电池 [P]. 
上野哲也 ;
铃木长 .
中国专利 :CN114207897A ,2022-03-18
[10]
无机固体电解质二次电池用电极及无机固体电解质二次电池 [P]. 
三浦克人 ;
幸琢宽 ;
三轮讬也 ;
鳄渕瑞绘 ;
田渕雅人 .
中国专利 :CN113439354A ,2021-09-24