一种聚偏氟乙烯花状石墨烯复合压电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110803900.X

申请日：

2021-07-16

公开(公告)号：

CN113725351A

公开(公告)日：

2021-11-30

发明(设计)人：

朱伟江章旭平郑跃伟韩得满吴森祥袁利平李荣

申请人：

申请人地址：

318000 浙江省台州市仙居县经济开发区白塔区块桐江路30号

IPC主分类号：

H01L4137

IPC分类号：

H01L4118 H01L41193

代理机构：

杭州品众专利代理事务所(特殊普通合伙) 33459

代理人：

蔡陈祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	公开	公开
2021-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/37 申请日:20210716

共 50 条

[1]

一种聚偏氟乙烯花状石墨烯复合压电薄膜及其制备方法 [P].

朱伟江 ;

章旭平 ;

郑跃伟 ;

韩得满 ;

吴森祥 ;

袁利平 ;

李荣 .

中国专利 :CN113725351B ,2024-04-30

[2]

一种氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法 [P].

安宁丽 ;

叶静静 ;

方长青 .

中国专利 :CN105038045A ,2015-11-11

[3]

一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法和应用 [P].

裘天政 ;

杨路 ;

赵秋莹 .

中国专利 :CN110760144B ,2020-02-07

[4]

石墨烯-四氧化三铁/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法 [P].

任鹏刚 ;

宗泽 ;

郭铮铮 ;

任芳 .

中国专利 :CN110819044A ,2020-02-21

[5]

碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯多孔复合薄膜的制备方法 [P].

任芳 ;

伏柏桥 ;

任鹏刚 .

中国专利 :CN111171352B ,2020-05-19

[6]

一种聚偏氟乙烯压电复合薄膜的制备方法 [P].

唐超 ;

李华 ;

迟庆国 ;

张天栋 ;

冯宇 ;

张昌海 .

中国专利 :CN112679637B ,2021-04-20

[7]

一种聚偏氟乙烯/石墨烯复合材料及其制备方法 [P].

薛立新 ;

刘富 ;

林海波 ;

沈剑辉 ;

向艳慧 .

中国专利 :CN103467894B ,2013-12-25

[8]

一种聚偏氟乙烯/石墨烯复合材料及其制备方法 [P].

范萍 ;

钟明强 ;

杨晋涛 ;

陈枫 ;

费正东 ;

王磊 .

中国专利 :CN102604275A ,2012-07-25

[9]

聚偏氟乙烯压电复合薄膜的制备方法 [P].

马文中 ;

王诗婷 ;

杨海存 ;

曹峥 ;

龚方红 ;

刘春林 .

中国专利 :CN114031797A ,2022-02-11

[10]

一种石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

王磊 ;

欧阳文璟 ;

范博文 ;

林楚宏 ;

关晓辉 ;

涂家荣 ;

韩诗纯 ;

矫庆泽 ;

郭冰之 .

中国专利 :CN108485132A ,2018-09-04

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