一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件

被引：0

申请号：

CN202111585905.6

申请日：

2021-12-20

公开(公告)号：

CN114284135A

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

李真宇杨超孔霞刘亚明韩智勇陈明珠郑珊珊姜传晓

申请人：

申请人地址：

250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L21316 H01L21318 H01L21762 H01L2712

代理机构：

北京弘权知识产权代理有限公司 11363

代理人：

逯长明;许伟群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20211220
2022-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

孔霞 ;

刘亚明 ;

韩智勇 ;

陈明珠 ;

郑珊珊 ;

姜传晓 .

中国专利 :CN114284135B ,2025-07-25

[2]

复合衬底及其制备方法、电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

张秀全 ;

李洋洋 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN112564662B ,2021-03-26

[3]

复合衬底的制备方法、复合薄膜及电子元器件 [P].

杨超 ;

李真宇 ;

张秀全 ;

李洋洋 .

中国专利 :CN112420915B ,2021-02-26

[4]

一种半导体衬底、电子元器件以及半导体衬底的制备方法 [P].

杨超 ;

李真宇 ;

孔霞 ;

李洋洋 .

中国专利 :CN112951709B ,2021-06-11

[5]

半导体衬底、制备方法以及电子元器件 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112435984B ,2021-03-02

[6]

一种高电阻率复合衬底、制备方法及电子元器件 [P].

杨超 ;

李真宇 ;

胡卉 ;

胡文 ;

孔霞 ;

刘亚明 .

中国专利 :CN114496733B ,2022-05-13

[7]

一种多层衬底、电子元器件及多层衬底制备方法 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

李洋洋 ;

张秀全 ;

刘阿龙 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN112750686B ,2021-05-04

[8]

一种具有捕获结构的复合衬底及其制备方法及电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

胡文 ;

孔霞 ;

刘亚明 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN114497197B ,2022-05-13

[9]

一种复合衬底的制备方法、复合衬底及复合薄膜 [P].

李洋洋 ;

李真宇 ;

杨超 ;

胡卉 ;

刘阿龙 ;

连坤 .

中国专利 :CN112701033B ,2021-04-23

[10]

一种压电衬底、制备方法及电子元器件 [P].

李真宇 ;

杨超 ;

李洋洋 ;

张秀全 ;

张涛 ;

韩智勇 .

中国专利 :CN112688658B ,2021-04-20

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