一种磁通控制型忆容器等效电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120413273.4

申请日：

2021-02-25

公开(公告)号：

CN214475008U

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

郑辞晏庄楚源李亚颜坤哲练明坚蔡璟雯

申请人：

申请人地址：

510665 广东省广州市天河区中山大道西293号

IPC主分类号：

G06F3036

IPC分类号：

代理机构：

东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215

代理人：

刘克宽

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种磁通控制型忆容器等效电路及其控制方法 [P].

郑辞晏 ;

庄楚源 ;

李亚 ;

颜坤哲 ;

练明坚 ;

蔡璟雯 .

中国专利 :CN113078883A ,2021-07-06

[2]

磁控忆容器等效电路 [P].

王光义 ;

吴珺 ;

蔡博振 ;

王晋 .

中国专利 :CN205563569U ,2016-09-07

[3]

一种磁控忆容器等效电路 [P].

王光义 ;

吴珺 ;

蔡博振 ;

王晋 .

中国专利 :CN105373677B ,2016-03-02

[4]

一种指数型磁控忆容器等效电路 [P].

王光义 ;

吴珺 ;

蔡博振 ;

王晋 .

中国专利 :CN205384611U ,2016-07-13

[5]

指数型磁控忆容器等效电路 [P].

王光义 ;

吴珺 ;

蔡博振 ;

王晋 .

中国专利 :CN105701306B ,2016-06-22

[6]

磁控忆阻器等效电路 [P].

刘国华 ;

王光义 .

中国专利 :CN203352560U ,2013-12-18

[7]

一种对数型荷控忆容器等效电路模型 [P].

王光义 ;

王亚波 ;

王晓炜 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN109684747A ,2019-04-26

[8]

一种磁控忆阻器等效电路 [P].

刘国华 ;

王光义 .

中国专利 :CN103326704A ,2013-09-25

[9]

一种荷控忆容器等效电路模型 [P].

王光义 ;

王亚波 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN108736860A ,2018-11-02

[10]

一种对数型忆容器等效模拟电路 [P].

周玮 ;

王光义 ;

丘嵘 ;

俞军 .

中国专利 :CN206991310U ,2018-02-09

← 1 2 3 4 5 →