一种制备纳米尺度间隙金属电极对的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810102118.X

申请日：

2008-03-18

公开(公告)号：

CN101245470A

公开(公告)日：

2008-08-20

发明(设计)人：

刘佳傅云义黄如张兴

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C25C100

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

贾晓玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-20	公开	公开
2012-09-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:北京大学登记生效日:20120801 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101450533566 IPC(主分类):C25C 1/00 专利号:ZL200810102118X 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号
2011-01-19	授权	授权
2008-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

纳米电极对及其制备方法 [P].

李莉 ;

孙志梅 ;

潘向萍 ;

潘军 .

中国专利 :CN111893527A ,2020-11-06

[2]

一种纳米尺度间隙电极对阵列及其制备方法 [P].

魏芹芹 ;

邓斯天 ;

赵华波 ;

傅云义 ;

黄如 ;

张兴 .

中国专利 :CN101817499B ,2010-09-01

[3]

一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法 [P].

赵华波 ;

张朝晖 ;

傅云义 ;

张岩 ;

李彦 ;

严峰 ;

应轶群 .

中国专利 :CN101780943A ,2010-07-21

[4]

纳米尺度金属颗粒的制备 [P].

R·A·默库里 .

中国专利 :CN101300096A ,2008-11-05

[5]

一种具有纳米间隙的电极对及其制备方法 [P].

温晓镭 ;

刘海涛 .

中国专利 :CN115132578B ,2022-09-30

[6]

纳米尺度金属颗粒的连续制备 [P].

R·A·默库里 .

中国专利 :CN101309767A ,2008-11-19

[7]

一种纳米尺度EUV掩模的制备方法 [P].

刘宇 ;

刘明 ;

谢常青 ;

龙世兵 ;

胡媛 ;

张凯平 ;

赵盛杰 .

中国专利 :CN103605260A ,2014-02-26

[8]

一种电解加工用的纳米尺度多晶硅工具电极及其制备方法 [P].

刘国栋 ;

李勇 ;

祝玉兰 ;

佟浩 .

中国专利 :CN113649657B ,2021-11-16

[9]

一种纳米多孔金属电极材料的制备方法 [P].

赵翼遥 ;

何佳 .

中国专利 :CN114525511A ,2022-05-24

[10]

金属电极的制备方法、金属电极及显示面板 [P].

鲜济遥 ;

周佑联 ;

许哲豪 ;

袁海江 .

中国专利 :CN113053741A ,2021-06-29

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