一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721212412.7

申请日：

2017-09-21

公开(公告)号：

CN207459396U

公开(公告)日：

2018-06-05

发明(设计)人：

单智发

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区若水路388号E1107室

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251

代理人：

刘计成

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	授权	授权
2020-12-04	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01S 5/343 合同备案号:X2020110000021 让与人:苏州全磊光电有限公司受让人:全磊光电股份有限公司实用新型名称:一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构申请日:20170921 授权公告日:20180605 许可种类:普通许可备案日期:20201118

共 50 条

[1]

一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构及其制备方法 [P].

单智发 .

中国专利 :CN107437723A ,2017-12-05

[2]

一种高速VCSEL激光器外延结构 [P].

单智发 .

中国专利 :CN207217999U ,2018-04-10

[3]

一种近红外VCSEL激光器的外延结构 [P].

张永 .

中国专利 :CN206864867U ,2018-01-09

[4]

一种激光器外延结构、VCSEL芯片 [P].

林志伟 ;

陈凯轩 ;

童吉楚 ;

谢昆江 ;

徐枫 .

中国专利 :CN214255059U ,2021-09-21

[5]

一种新型VCSEL阵列激光器 [P].

詹健龙 .

中国专利 :CN214798184U ,2021-11-19

[6]

VCSEL阵列、VCSEL激光器及其制备方法 [P].

朱都 ;

何登 ;

廖伟 .

中国专利 :CN118610889A ,2024-09-06

[7]

一种VCSEL激光器结构 [P].

彭鹏 ;

姚林松 ;

陈丽祥 .

中国专利 :CN216699075U ,2022-06-07

[8]

一种高速VCSEL激光器外延结构及其制备方法 [P].

单智发 .

中国专利 :CN107171181A ,2017-09-15

[9]

外腔式VCSEL激光器、VCSEL阵列和激光器的制备方法 [P].

林珊珊 ;

王立 ;

李念宜 ;

姚毅飞 ;

郝宇杰 ;

李姗姗 .

中国专利 :CN113725726A ,2021-11-30

[10]

外腔式VCSEL激光器、VCSEL阵列和激光器的制备方法 [P].

林珊珊 ;

王立 ;

李念宜 ;

姚毅飞 ;

郝宇杰 ;

李姗姗 .

中国专利 :CN113725726B ,2024-01-05

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