一种碳化硅功率器件终端结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202020123248.8
申请日
2020-01-17
公开(公告)号
CN210956680U
公开(公告)日
2020-07-07
发明(设计)人
陈道坤 史波 曾丹 敖利波
申请人
申请人地址
519015 广东省珠海市香洲区吉大景山路莲山巷8号1001室
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L21329
代理机构
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
代理人
刘红彬
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法 [P]. 
陈道坤 ;
史波 ;
曾丹 ;
敖利波 .
中国专利 :CN113140612B ,2025-03-14
[2]
一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法 [P]. 
陈道坤 ;
史波 ;
曾丹 ;
敖利波 .
中国专利 :CN113140612A ,2021-07-20
[3]
一种碳化硅功率器件终端结构 [P]. 
张振中 ;
孙军 ;
郝建勇 ;
刘玮 ;
张旭辉 .
中国专利 :CN222721724U ,2025-04-04
[4]
一种碳化硅功率器件终端结构 [P]. 
张有润 ;
王文 ;
郭飞 ;
钟晓康 ;
刘程嗣 ;
刘凯 ;
张波 .
中国专利 :CN107123669A ,2017-09-01
[5]
碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P]. 
贺冠中 .
中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22
[6]
碳化硅外延终端扩展结构及碳化硅功率器件 [P]. 
马志勇 ;
廖奇泊 ;
封国立 .
中国专利 :CN221226227U ,2024-06-25
[7]
碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P]. 
张跃 ;
柏松 ;
张腾 ;
黄润华 ;
杨勇 .
中国专利 :CN118738095A ,2024-10-01
[8]
碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P]. 
张跃 ;
柏松 ;
张腾 ;
黄润华 ;
杨勇 .
中国专利 :CN118738095B ,2025-03-04
[9]
一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P]. 
乔凯 .
中国专利 :CN120379318A ,2025-07-25
[10]
一种碳化硅器件终端结构、碳化硅功率器件以及芯片 [P]. 
乔凯 .
中国专利 :CN120379318B ,2025-09-19