一种氮化硼刻蚀的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710043653.1
申请日
2017-01-19
公开(公告)号
CN106835074A
公开(公告)日
2017-06-13
发明(设计)人
金圣忠 赵士超 翁嘉鑫 吕燕飞
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
C23C1634 C23C1656
代理机构
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240
代理人
杜军
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种氮化硼复合薄膜及其制备方法 [P]. 
王小华 ;
张先雷 .
中国专利 :CN120209617A ,2025-06-27
[2]
一种氮化硼复合薄膜及其制备方法 [P]. 
王小华 ;
张先雷 .
中国专利 :CN120209617B ,2025-08-29
[3]
一种干法刻蚀氮化硼薄膜的方法 [P]. 
吴天如 .
中国专利 :CN118147600A ,2024-06-07
[4]
制备氮化硼薄膜的方法与氮化硼薄膜 [P]. 
郭文哲 ;
李文亮 ;
李豪浚 ;
郭原良 ;
平欣 ;
周炎霖 ;
刘建和 ;
蔡明新 .
中国专利 :CN119287339A ,2025-01-10
[5]
氮化硼及生产氮化硼的方法 [P]. 
纳拉扬·S·霍斯马内 ;
阿马特亚·扎克拉巴蒂 ;
谢娜·M·斯坦利 .
中国专利 :CN106414311A ,2017-02-15
[6]
一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法 [P]. 
王浩敏 ;
谢红 ;
贺立 ;
王慧山 ;
陈令修 ;
李蕾 ;
吴天如 ;
张道礼 ;
谢晓明 ;
江绵恒 .
中国专利 :CN104992905A ,2015-10-21
[7]
一种均质氮化硼薄膜及高效制备氮化硼薄膜的方法 [P]. 
李爱军 ;
海维斌 ;
彭雨晴 ;
江文倩 ;
贺杜炜 ;
王启帆 .
中国专利 :CN118186365A ,2024-06-14
[8]
粒状氮化硼的制造方法和粒状氮化硼 [P]. 
楠濑尚史 .
日本专利 :CN120019022A ,2025-05-16
[9]
氮化硼 [P]. 
L·N·鲁萨诺瓦 ;
A·G·罗马欣 ;
L·I·戈尔恰科瓦 ;
G·I·库里科瓦 ;
M·K·阿列克斯夫 .
中国专利 :CN1162297A ,1997-10-15
[10]
氮化硼和氮化硼导出材料的沉积方法 [P]. 
J-u·许 ;
M·巴尔塞努 ;
夏立群 ;
V·T·恩古耶 ;
D·R·威蒂 ;
H·M'塞德 .
中国专利 :CN101690420B ,2010-03-31