可变电阻存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811215895.5

申请日：

2018-10-18

公开(公告)号：

CN109698271A

公开(公告)日：

2019-04-30

发明(设计)人：

郑智贤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-30	公开	公开
2020-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20181018

共 50 条

[1]

可变电阻存储器件和制造可变电阻存储器件的方法 [P].

朴正熙 ;

朴志镐 ;

朴昌叶 ;

安东浩 .

中国专利 :CN110875428A ,2020-03-10

[2]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

韩在贤 .

中国专利 :CN114256413A ,2022-03-29

[3]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

李宰渊 ;

宋锡杓 ;

李承桓 .

中国专利 :CN103325806A ,2013-09-25

[4]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

郑夏彰 ;

李恩侠 .

中国专利 :CN104241525A ,2014-12-24

[5]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

李相昑 ;

李宰渊 ;

孙东熙 .

中国专利 :CN103378290A ,2013-10-30

[6]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

金秉柱 ;

高永珉 ;

金钟旭 ;

朴洸珉 ;

朴正熙 ;

崔铜成 .

韩国专利 :CN110858623B ,2024-02-02

[7]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

金玟锡 ;

尹孝燮 .

中国专利 :CN104241524A ,2014-12-24

[8]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

堀井秀树 ;

朴盛健 ;

安东浩 ;

李政武 .

中国专利 :CN107732007A ,2018-02-23

[9]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

郑智贤 ;

朴日穆 ;

宋时虎 .

中国专利 :CN109698272A ,2019-04-30

[10]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

金秉柱 ;

高永珉 ;

金钟旭 ;

朴洸珉 ;

朴正熙 ;

崔铜成 .

中国专利 :CN110858623A ,2020-03-03

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