MXene/镍纳米线导电填料及制备方法和应用

被引:0
申请号
CN202210373625.7
申请日
2022-04-11
公开(公告)号
CN114736431A
公开(公告)日
2022-07-12
发明(设计)人
杨哲一 崔锦文 王弘喆 崔雄华 张磊
申请人
申请人地址
710003 陕西省西安市碑林区兴庆路136号
IPC主分类号
C08K700
IPC分类号
C08K308 C09D524 C09D508
代理机构
苏州国诚专利代理有限公司 32293
代理人
李小叶
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
AgNWs/Ti3AlC2导电填料及制备方法和应用 [P]. 
张磊 ;
王弘喆 ;
崔雄华 ;
杨哲一 ;
崔锦文 .
中国专利 :CN114672183A ,2022-06-28
[2]
一种基于镍纳米线的多功能布料及其制备方法和应用 [P]. 
黄晓炜 ;
陈丽航 ;
王瑛琪 .
中国专利 :CN121228524A ,2025-12-30
[3]
一种磷掺杂铂镍纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
宫勇吉 ;
陈乾 ;
魏怡 ;
古小康 .
中国专利 :CN114101696A ,2022-03-01
[4]
制备金属镍纳米线的方法 [P]. 
曹霞 .
中国专利 :CN101486102A ,2009-07-22
[5]
刺状磁性镍纳米线的制备方法 [P]. 
张亚非 ;
李忠丽 ;
刘一剑 ;
耿会娟 ;
苏言杰 .
中国专利 :CN103737016A ,2014-04-23
[6]
一种Sn掺杂羟基亚磷酸镍纳米线组装的三维网状纳米结构材料及其制备方法和应用 [P]. 
吴正翠 ;
许慧 ;
高峰 .
中国专利 :CN111889119B ,2020-11-06
[7]
一种铜镍纳米线的制备方法及其制备的铜镍纳米线 [P]. 
张辉 ;
卞婷 ;
杜宁 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN103352132A ,2013-10-16
[8]
纳米线电极材料及其制备方法和应用 [P]. 
张在磊 ;
马闻达 ;
卢宪茂 .
中国专利 :CN109108276B ,2019-01-01
[9]
银纳米线透明导电件及其制备方法和应用 [P]. 
郑博达 ;
汪聪 ;
陈洁 ;
苏传明 ;
解威 ;
曾西 .
中国专利 :CN116344112B ,2025-12-12
[10]
银纳米线透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
郑博达 ;
陈洁 ;
汪聪 ;
陈鸿武 .
中国专利 :CN114373584A ,2022-04-19