一种硅基底中波红外增透膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811555428.7

申请日：

2018-12-20

公开(公告)号：

CN110146943B

公开(公告)日：

2019-08-20

发明(设计)人：

赵中亮

申请人：

申请人地址：

200434 上海市虹口区汶水东路888号

IPC主分类号：

G02B1115

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-20	公开	公开
2021-03-23	授权	授权
2019-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 1/115 申请日:20181220

共 50 条

[1]

一种中波红外增透膜设计及制备方法 [P].

郭猛 ;

贺洪波 ;

易葵 ;

邵淑英 ;

朱美萍 .

中国专利 :CN110794490A ,2020-02-14

[2]

一种硅基底长波通红外滤光片及其制备方法 [P].

赵中亮 .

中国专利 :CN110146948B ,2019-08-20

[3]

硫化锌基底红外中波增透膜系制备方法 [P].

王振 ;

刘克武 ;

蔡宇轩 ;

温展文 ;

陈丽婷 ;

张晓玲 ;

张明超 ;

尹士平 ;

郭晨光 .

中国专利 :CN120624987A ,2025-09-12

[4]

一种ZnSe红外增透膜及其制备方法 [P].

黄宁康 ;

展长勇 ;

汪德志 .

中国专利 :CN101464530A ,2009-06-24

[5]

硅基底红外长波高透过率增透膜系的制备方法 [P].

王振 ;

刘克武 ;

蔡宇轩 ;

郭晨光 ;

尹士平 .

中国专利 :CN119506789A ,2025-02-25

[6]

一种基于硅基底超宽带红外增透膜片、制备方法及其应用 [P].

李茂云 ;

廖育民 ;

郑昱 .

中国专利 :CN118068460A ,2024-05-24

[7]

一种以锗为基底的中长波红外增透膜 [P].

赵中亮 .

中国专利 :CN206741013U ,2017-12-12

[8]

一种中红外宽带增透膜及其制备方法和应用 [P].

刘利芹 ;

曾体贤 ;

孙辉 ;

黄张淋 .

中国专利 :CN119717084A ,2025-03-28

[9]

一种3-12μmZnS基底光学红外增透膜及其制备方法 [P].

孙建坤 ;

罗玉萍 .

中国专利 :CN108330440A ,2018-07-27

[10]

一种红外高效增透膜及其制备方法 [P].

彭乔 .

中国专利 :CN118625421A ,2024-09-10

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