一种氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相的低温化制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911253783.3

申请日：

2019-12-09

公开(公告)号：

CN111020494B

公开(公告)日：

2020-04-17

发明(设计)人：

杨丽李俊宝周益春朱旺

申请人：

申请人地址：

411100 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号

IPC主分类号：

C23C1428

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489

代理人：

郑久兴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/28 申请日:20191209
2020-04-17	公开	公开
2021-12-28	授权	授权

共 50 条

[1]

非平衡四方相氧化钇掺杂氧化锆纳米结构热障涂层的制备方法 [P].

施利毅 ;

袁帅 ;

刘瑞丽 ;

王竹仪 ;

赵尹 ;

张美红 .

中国专利 :CN103011818A ,2013-04-03

[2]

纳米氧化钇稳定的四方相氧化锆多晶材料的低温烧结方法 [P].

孙义海 ;

张玉峰 ;

郭景坤 .

中国专利 :CN1169747C ,2002-12-04

[3]

氧化钇稳定的氧化锆粉体的制备方法 [P].

利剑 ;

陈兰桂 ;

蒋永洪 ;

孙亮 ;

李伟 ;

王文利 .

中国专利 :CN105503181A ,2016-04-20

[4]

一种牙用氧化钇稳定的四方相氧化锆陶瓷3Y-TZP的制备方法 [P].

李宁 ;

吴芝凯 ;

颜家振 ;

文玉华 ;

蹇超 .

中国专利 :CN103172385A ,2013-06-26

[5]

一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的制备方法 [P].

杨丽 ;

李俊宝 ;

周益春 ;

朱旺 .

中国专利 :CN110804761A ,2020-02-18

[6]

一种高比表面积氧化钇稳定氧化锆四方相纳米粉体的制备方法 [P].

陈伟凡 ;

邹煌龙 ;

卓明鹏 ;

刘越 ;

王琳琳 .

中国专利 :CN103524128B ,2014-01-22

[7]

氧化钇稳定的氧化锆的熔凝粉末 [P].

卡罗琳·利维 ;

山木尔·马林 .

中国专利 :CN103228597A ,2013-07-31

[8]

一种钇稳定四方相纳米氧化锆及其制备方法 [P].

邱森 ;

刘美玭 ;

蒋小岗 ;

夏侯斌 ;

刘道斌 ;

蒋威 ;

邓攀 ;

余音宏 .

中国专利 :CN109467431A ,2019-03-15

[9]

制备氧化钇稳定氧化锆电解质薄膜的方法 [P].

辛显双 ;

吕喆 ;

苏文辉 ;

黄喜强 ;

沙雪清 ;

张耀辉 ;

魏波 ;

陈孔发 .

中国专利 :CN1320677C ,2006-03-29

[10]

氧化钇稳定氧化锆多孔块体的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

宋杰 ;

杨辉 .

中国专利 :CN105622131A ,2016-06-01

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