一种电介质层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310557142.3

申请日：

2013-11-08

公开(公告)号：

CN103594354A

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

张翠

申请人：

申请人地址：

213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

黄明哲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580334407 IPC(主分类):H01L 21/316 专利申请号:2013105571423 申请日:20131108
2014-02-19	公开	公开
2017-08-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更前权利人:213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号变更后权利人:213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东大街182号号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101756993074 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL2013105571423 登记生效日:20170724 变更事项:专利权人变更前权利人:溧阳市江大技术转移中心有限公司变更后权利人:溧阳市科技开发中心变更事项:地址
2016-07-06	授权	授权

共 50 条

[1]

在电介质层上形成孔的方法 [P].

孙武 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN101587838B ,2009-11-25

[2]

电介质层及电介质层的制造方法、以及固态电子装置及固态电子装置的制造方法 [P].

下田达也 ;

德光永辅 ;

尾上允敏 ;

宫迫毅明 .

中国专利 :CN105103277B ,2015-11-25

[3]

形成电介质层的方法 [P].

金注完 ;

金成镇 ;

赵昶贤 ;

黄秉槿 ;

李宰求 ;

高宽协 .

中国专利 :CN1146961C ,2000-02-09

[4]

电介质电容器及其制造方法 [P].

中村孝 .

中国专利 :CN1085411C ,1997-07-30

[5]

多孔电介质中镶嵌铜结构的制造方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN1241250C ,2004-01-14

[6]

电介质元件的制造方法和电介质元件 [P].

座间秀昭 ;

小林忠正 .

中国专利 :CN110176388A ,2019-08-27

[7]

用于先进集成电路结构制造的层间电介质层的电介质电容恢复 [P].

A·马达万 ;

A·贾殷 ;

J·冼 ;

A·H·贾哈吉尔达 .

中国专利 :CN114256145A ,2022-03-29

[8]

电介质隔离型半导体装置的制造方法 [P].

秋山肇 .

中国专利 :CN102244028B ,2011-11-16

[9]

制造闪存器件的电介质膜的方法 [P].

朱光喆 .

中国专利 :CN1885510A ,2006-12-27

[10]

具有电介质间隔的晶体管及其制造方法 [P].

朱从佣 ;

P·雷诺 ;

D·G·希尔 ;

G·D·黑尔 ;

C·G·拉姆普莱 .

美国专利 :CN119230607A ,2024-12-31

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