一种可见光响应g‑C3N4/Bi2S3异质结材料的制备方法和用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610951395.2

申请日：

2016-10-27

公开(公告)号：

CN106423246A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

朱成章谢吉民姜志锋魏巍

申请人：

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

B01J2724

IPC分类号：

C02F130 C02F172 C02F10130

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	公开	公开
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708618237 IPC(主分类):B01J 27/24 专利申请号:2016109513952 申请日:20161027
2019-11-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):B01J 27/24 申请公布日:20170222

共 50 条

[1]

一种可见光响应Bi3O4Cl/g‑C3N4异质结材料的制备方法和应用 [P].

陆光华 ;

江润仁 ;

闫振华 ;

孙红伟 ;

周冉冉 ;

董慧科 ;

沈杰 .

中国专利 :CN107262131A ,2017-10-20

[2]

一种可见光响应Nb2O5/g‑C3N4异质结材料的制备方法和用途 [P].

洪远志 ;

施伟东 ;

李长生 ;

孟亚东 ;

张光倚 ;

殷秉歆 .

中国专利 :CN105195203B ,2015-12-30

[3]

一种可见光响应型g-C3N4/BiVO4异质结材料的制备方法及其应用 [P].

谢彦 .

中国专利 :CN109092343B ,2018-12-28

[4]

一种可见光响应异质结材料的制备方法和用途 [P].

洪远志 ;

施伟东 ;

李长生 ;

方振远 .

中国专利 :CN106582759A ,2017-04-26

[5]

一种可见光响应的C3N4薄膜电极的制备方法 [P].

赵旭 ;

柴步喻 ;

王建兵 ;

田世超 ;

王雁 .

中国专利 :CN105129921A ,2015-12-09

[6]

一种可见光响应型Zn2TiO4/g-C3N4异质结材料及其应用 [P].

陶然 ;

谭青爽 ;

范晓星 ;

李永庆 ;

闫婷 ;

王彦欣 .

中国专利 :CN114042471A ,2022-02-15

[7]

可见光响应的管状g-C3N4的制备方法 [P].

江润仁 ;

陆光华 ;

周超 ;

包旭辉 ;

徐鑫磊 .

中国专利 :CN110697667A ,2020-01-17

[8]

一种可见光催化活性的g‑C3N4/Al2O3/ZnO异质结及其制备方法 [P].

李发堂 ;

刘少佳 ;

郝影娟 ;

刘瑞红 .

中国专利 :CN107149939A ,2017-09-12

[9]

NiS2纳米颗粒/g‑C3N4介孔纳米片复合材料及其制备方法 [P].

朱成章 ;

谢吉民 ;

钱坤 ;

姜志锋 ;

杨赛赛 ;

赵文通 .

中国专利 :CN106563470A ,2017-04-19

[10]

一种可见光响应g‑C3N4/SnS2复合光催化剂的制备方法 [P].

李靖 ;

张顾平 ;

陈艳 ;

李昭 ;

王绍荣 .

中国专利 :CN106238089A ,2016-12-21

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