利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910468538.8

申请日：

2019-05-31

公开(公告)号：

CN110172732A

公开(公告)日：

2019-08-27

发明(设计)人：

王新强刘放沈波吴洁君荣新郑显通盛博文杨流云盛珊珊

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2520 C30B2940

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

王岩

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 25/18 申请公布日:20190827
2019-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20190531
2019-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

过渡金属氮化物沉积方法 [P].

E.费尔姆 ;

J.W.梅斯 ;

C.德泽拉 ;

岩下信哉 .

:CN115537770B ,2025-04-08

[2]

过渡金属氮化物沉积方法 [P].

E.费尔姆 ;

J.W.梅斯 ;

C.德泽拉 ;

岩下信哉 .

中国专利 :CN115537770A ,2022-12-30

[3]

Ⅲ族氮化物单晶锭、Ⅲ族氮化物单晶衬底、制造Ⅲ族氮化物单晶锭的方法及制造Ⅲ族氮化物单晶衬底的方法 [P].

冈久拓司 ;

中畑成二 ;

上村智喜 .

中国专利 :CN101925695A ,2010-12-22

[4]

稀土过渡金属氮化物的制备方法 [P].

张志东 ;

刘伟 ;

张丹 ;

赵新国 ;

肖群峰 .

中国专利 :CN1052807C ,2000-05-24

[5]

制造氮化物衬底的方法和氮化物衬底 [P].

荒川聪 ;

宫永伦正 ;

樱田隆 ;

山本喜之 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN102137960B ,2011-07-27

[6]

金属氮化物及金属氮化物的制造方法 [P].

辻秀人 .

中国专利 :CN1993292B ,2007-07-04

[7]

过渡金属碳氮化物的制备方法 [P].

包云 ;

吴旭阳 ;

张旭 ;

陈露铭 .

中国专利 :CN111013621A ,2020-04-17

[8]

氮化物晶体、氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件及其制备方法 [P].

石桥惠二 ;

楫登纪子 ;

中畑成二 ;

西浦隆幸 .

中国专利 :CN1896343B ,2007-01-17

[9]

氮化物的单晶 [P].

大井户敦 ;

川崎克己 ;

山泽和人 .

中国专利 :CN110637110A ,2019-12-31

[10]

金属碳氮化物层和生成金属碳氮化物层的方法 [P].

R·皮通耐克 ;

J·加西亚 ;

R·韦森巴彻 ;

K·鲁兹－尤迪尔 .

中国专利 :CN101243204A ,2008-08-13

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