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一种耐烧蚀高熵碳化物-高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷及其制备方法
被引:0
申请号
:
CN202210471446.7
申请日
:
2022-04-28
公开(公告)号
:
CN114853477B
公开(公告)日
:
2022-08-05
发明(设计)人
:
郝巍
陈鑫悦
周春妮
秦潇娴
王冬云
申请人
:
申请人地址
:
321019 浙江省金华市迎宾大道688号
IPC主分类号
:
C04B3556
IPC分类号
:
C04B3558
C04B35565
C04B3564
C04B35622
代理机构
:
上海科盛知识产权代理有限公司 31225
代理人
:
林君如
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-08-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/56 申请日:20220428
2022-08-05
公开
公开
2022-12-27
授权
授权
共 50 条
[1]
一种高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷的制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
刘永胜
;
李文雅
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机构:
西北工业大学
西北工业大学
李文雅
;
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机构:
曹晔洁
;
论文数:
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机构:
董宁
.
中国专利
:CN118108512A
,2024-05-31
[2]
一种高熵硼化物-碳化硅复相陶瓷的制备方法
[P].
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机构:
刘永胜
;
李文雅
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机构:
西北工业大学
西北工业大学
李文雅
;
论文数:
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机构:
曹晔洁
;
论文数:
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机构:
董宁
.
中国专利
:CN118108512B
,2025-11-21
[3]
一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用
[P].
王东
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王东
;
冉松林
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冉松林
;
丁祥
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丁祥
;
金星
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金星
;
李庆归
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李庆归
.
中国专利
:CN113698209B
,2021-11-26
[4]
一种液相高熵碳化物-碳化硅复相陶瓷前驱体及复相陶瓷及制备方法
[P].
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机构:
叶丽
;
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机构:
赵彤
;
李子涵
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机构:
中国科学院化学研究所
中国科学院化学研究所
李子涵
;
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机构:
李佳
;
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机构:
韩伟健
.
中国专利
:CN117401976A
,2024-01-16
[5]
一种高熵碳化物-高熵硼化物复相陶瓷前驱体及复相纳米陶瓷粉体及制备方法
[P].
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机构:
叶丽
;
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机构:
赵彤
;
宋日亨
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机构:
中国科学院化学研究所
中国科学院化学研究所
宋日亨
;
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机构:
弓伟露
;
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机构:
李佳
;
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机构:
张永庆
;
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机构:
韩伟健
.
中国专利
:CN117209285B
,2025-12-30
[6]
一种SiC晶须和高熵硼化物增硬增韧高熵碳化物的复相陶瓷及其制备方法和应用
[P].
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机构:
郭伟明
;
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机构:
刘洋
;
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机构:
林华泰
.
中国专利
:CN116217233B
,2024-01-09
[7]
一种高熵二硼化物-碳化硼复相陶瓷、制备方法及其应用
[P].
冉松林
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冉松林
;
王东
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王东
;
丁祥
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丁祥
;
金星
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金星
;
李庆归
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李庆归
.
中国专利
:CN113636842B
,2021-11-12
[8]
高熵碳化物陶瓷及其制备方法
[P].
林立甫
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
林立甫
;
黄云涛
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
黄云涛
;
徐卿智
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桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
徐卿智
;
刘建伟
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
刘建伟
;
马建平
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桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
马建平
;
刘飞
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机构:
桂林电子科技大学
桂林电子科技大学
刘飞
.
中国专利
:CN119038997A
,2024-11-29
[9]
硼化物—碳化硅复相陶瓷及其制备方法
[P].
张国军
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张国军
;
阚艳梅
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阚艳梅
;
王佩玲
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王佩玲
.
中国专利
:CN1807347A
,2006-07-26
[10]
碳化硼碳化硅复相陶瓷及其制备方法
[P].
方宁象
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方宁象
;
高明霞
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高明霞
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潘颐
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潘颐
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张国军
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张国军
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巫红燕
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巫红燕
;
周红良
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周红良
.
中国专利
:CN102219518B
,2011-10-19
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