超结VDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010108871.7

申请日：

2010-02-11

公开(公告)号：

CN102157377A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

肖胜安

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:2010101088717 申请日:20100211 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113911496 IPC(主分类):H01L 21/336
2012-10-03	授权	授权
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684689276 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2010101088717 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216
2011-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

超结VDMOS器件及其制造方法 [P].

赵龙杰 ;

张新 .

中国专利 :CN116137228B ,2025-10-03

[2]

超结VDMOS的制备方法及其超结VDMOS器件 [P].

周宏伟 ;

任文珍 ;

张园园 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN105489500A ,2016-04-13

[3]

超结VDMOS器件及其制备方法 [P].

张玉琦 ;

任文珍 ;

陆珏 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN118431083A ,2024-08-02

[4]

超结VDMOS器件及其制备方法 [P].

钟圣荣 ;

张新 .

中国专利 :CN108574012B ,2018-09-25

[5]

制备超结VDMOS器件的方法 [P].

蔡小五 ;

海潮和 ;

陆江 ;

王立新 .

中国专利 :CN101515547A ,2009-08-26

[6]

超结器件及其制造方法 [P].

赵龙杰 .

中国专利 :CN106803516A ,2017-06-06

[7]

超结器件制造方法及超结器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298480A ,2017-01-04

[8]

VDMOS器件及其制造方法 [P].

崔金洪 .

中国专利 :CN104253045A ,2014-12-31

[9]

超结器件及其制造方法 [P].

赵龙杰 .

中国专利 :CN106887464B ,2017-06-23

[10]

超结器件及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107910374A ,2018-04-13

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