一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810086126.3

申请日：

2018-01-20

公开(公告)号：

CN108329043A

公开(公告)日：

2018-07-27

发明(设计)人：

李斌斌袁小森黄海泉毛帮笑汤浩饶志远

申请人：

申请人地址：

210016 江苏省南京市江宁区将军大道29号

IPC主分类号：

C04B3580

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-27	公开	公开
2021-04-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B 35/80 申请公布日:20180727
2018-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/80 申请日:20180120

共 50 条

[1]

一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

李斌斌 ;

袁小森 ;

廖家豪 ;

陈照峰 ;

饶志远 .

中国专利 :CN108117403A ,2018-06-05

[2]

一种SiC纳米线增强SiC多孔陶瓷复合材料及其制备方法 [P].

李斌斌 ;

黄海泉 ;

毛帮笑 .

中国专利 :CN108947554A ,2018-12-07

[3]

一种SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨丽霞 ;

丁扬 ;

陈照峰 .

中国专利 :CN114573357A ,2022-06-03

[4]

一种原位生长SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

陈照峰 ;

廖家豪 .

中国专利 :CN107903067A ,2018-04-13

[5]

一种SiC纳米线增强Cf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

陈照峰 ;

廖家豪 .

中国专利 :CN107311682A ,2017-11-03

[6]

SiC纳米线原位增强的SiCf/SiC复合材料及其制备方法 [P].

余金山 ;

周新贵 ;

王洪磊 ;

曾穗娟 ;

殷刘彦 .

中国专利 :CN106866148B ,2017-06-20

[7]

一种SiC纳米线增强氧化物陶瓷基复合材料及其制备方法 [P].

杨丽霞 ;

钟伯锋 ;

张俊雄 ;

陈照峰 ;

廖家豪 ;

寇宗德 .

中国专利 :CN113943169A ,2022-01-18

[8]

SiC纳米线增强铝基复合材料及其制备方法 [P].

杨文澍 ;

武高辉 ;

姜龙涛 .

中国专利 :CN106086726A ,2016-11-09

[9]

SiC纳米线改性陶瓷基复合材料界面制备陶瓷基复合材料的方法 [P].

刘永胜 ;

田卓 ;

张程煜 ;

万佳佳 ;

董宁 ;

成来飞 .

中国专利 :CN105237021A ,2016-01-13

[10]

一种原位生长SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法和应用 [P].

陈招科 ;

熊翔 ;

吴宗绪 ;

王浩然 .

中国专利 :CN113321522B ,2021-08-31

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