一种铜离子印迹聚合物的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811591941.1

申请日：

2018-12-25

公开(公告)号：

CN109569539A

公开(公告)日：

2019-04-05

发明(设计)人：

康澍王倩兰天

申请人：

申请人地址：

101200 北京市平谷区平三路3号

IPC主分类号：

B01J2026

IPC分类号：

B01J2030 C02F128 C02F10120

代理机构：

北京市东方至睿知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11485

代理人：

霍金虎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	公开	公开
2021-09-24	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):B01J 20/26 申请公布日:20190405
2019-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 20/26 申请日:20181225

共 50 条

[1]

一种铜离子印迹聚合物及其应用 [P].

康永锋 ;

李艳 ;

段吴平 ;

康俊霞 ;

史华进 .

中国专利 :CN102659971A ,2012-09-12

[2]

一种铜离子印迹聚合物吸附剂的制备方法 [P].

谢志海 ;

王海力 ;

党高潮 ;

王玲燕 .

中国专利 :CN103450394A ,2013-12-18

[3]

一种镍离子印迹材料的制备方法及其应用 [P].

康澍 ;

兰天 .

中国专利 :CN109718741A ,2019-05-07

[4]

一种钯离子印迹聚合物及其制备方法和应用 [P].

陶虎春 ;

谷翼涵 ;

张丽娟 ;

朱丽丽 ;

刘威 .

中国专利 :CN108559024A ,2018-09-21

[5]

金属离子印迹聚合物及其制备方法与应用 [P].

康澍 ;

郑清林 ;

王利平 ;

王倩 ;

卢瑞华 .

中国专利 :CN105085924A ,2015-11-25

[6]

一种铅离子印迹材料的制备方法及其应用 [P].

康澍 ;

王倩 ;

兰天 .

中国专利 :CN109679101A ,2019-04-26

[7]

一种汞离子印迹材料的制备方法及其应用 [P].

康澍 ;

王倩 ;

兰天 .

中国专利 :CN109847717A ,2019-06-07

[8]

一种钨离子印迹聚合物及其制备方法和应用 [P].

席晓丽 ;

赵亚辉 ;

马立文 ;

安全福 ;

聂祚仁 .

中国专利 :CN118546296A ,2024-08-27

[9]

过渡金属离子印迹聚合物及其制备方法 [P].

马娟娟 ;

朱彩艳 ;

卢同办 ;

卢晓婷 ;

郭晓晨 ;

韩洪川 ;

张可人 ;

张田林 .

中国专利 :CN102924656A ,2013-02-13

[10]

一种镉离子印迹材料的制备方法及其应用 [P].

康澍 ;

王利平 ;

王倩 ;

兰天 .

中国专利 :CN109499554A ,2019-03-22

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