含硅氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法和含硅氧化物被覆氮化铝粒子

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980055075.0

申请日：

2019-08-23

公开(公告)号：

CN112585087B

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

大冢雄树冈本英俊御法川直树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B21072

IPC分类号：

C08K906 C08L10100 C09C140 C09C312

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

李照明;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	公开	公开
2021-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/072 申请日:20190823
2022-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

含硅氧化物被覆氮化铝粒子 [P].

大冢雄树 ;

冈本英俊 ;

御法川直树 .

中国专利 :CN114507382A ,2022-05-17

[2]

含有硅的氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法 [P].

小林郁惠 ;

御法川直树 ;

杉本洋辉 .

日本专利 :CN118510720A ,2024-08-16

[3]

含有硅的氧化物被覆氮化铝粒子的制造方法 [P].

小林郁惠 ;

御法川直树 ;

杉本洋辉 .

日本专利 :CN118510720B ,2025-04-01

[4]

制备含硅氧化物涂覆的氮化铝颗粒的方法以及制备散热树脂组合物的方法 [P].

大冢雄树 ;

御法川直树 ;

小林郁惠 .

中国专利 :CN113474411A ,2021-10-01

[5]

含钛的硅氧化物的制造方法、环氧化物的制造方法和含钛的硅氧化物 [P].

的场元志 .

中国专利 :CN113905987A ,2022-01-07

[6]

含钛的硅氧化物的制造方法、环氧化物的制造方法和含钛的硅氧化物 [P].

的场元志 .

日本专利 :CN113905987B ,2024-10-18

[7]

含钛的硅氧化物的制造方法、环氧化物的制造方法和含钛的硅氧化物 [P].

的场元志 .

日本专利 :CN119212951A ,2024-12-27

[8]

含钛的硅氧化物的制造方法、环氧化物的制造方法、和含钛的硅氧化物 [P].

山下史一 ;

池田翔子 ;

小泽卓也 .

中国专利 :CN110475748B ,2019-11-19

[9]

玻璃被覆氮化铝粒子的制造方法和含有该玻璃被覆氮化铝粒子的散热性树脂组合物的制造方法 [P].

大冢雄树 ;

冈本英俊 .

中国专利 :CN112166086A ,2021-01-01

[10]

局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅结构及其制造方法 [P].

裵金钟 ;

李来寅 ;

金相秀 ;

金基喆 ;

金辰熙 ;

曹寅昱 ;

金成浩 ;

高光旭 .

中国专利 :CN1531095A ,2004-09-22

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