一种制备含有氧空位的金属氧化物的方法

被引：0

申请号：

CN202011063716.8

申请日：

2020-09-30

公开(公告)号：

CN114314520A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

沈梦张玲霞施剑林

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C01B1314

IPC分类号：

B01J2106 B01J2306 B01J2310 C01B3240

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 13/14 申请日:20200930
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备含有氧空位的过渡金属氧化物材料的方法 [P].

洪樟连 ;

苗继中 ;

支明佳 .

中国专利 :CN112939053B ,2021-06-11

[2]

一种含有氧空位金属氧化物及其制备方法、应用 [P].

王健宜 ;

高艳安 ;

黄迢 ;

任昭玮 ;

胡晓莉 ;

胡慧 ;

苏晓芳 .

中国专利 :CN120117650A ,2025-06-10

[3]

利用含有氧空位的金属氧化物电化学海水提铀的方法 [P].

竹文坤 ;

何嵘 ;

李怡 ;

段涛 ;

雷佳 ;

陈涛 ;

杨帆 .

中国专利 :CN110952107A ,2020-04-03

[4]

氧空位型金属氧化物半导体的制备方法 [P].

赵彩凤 ;

杨亚辉 ;

罗琳 ;

邵赛 ;

邵颖 ;

张乐平 .

中国专利 :CN110560022A ,2019-12-13

[5]

一种金属氧化物的制备方法及金属氧化物 [P].

王峰 ;

张健 ;

王业红 ;

张志鑫 .

中国专利 :CN112897565A ,2021-06-04

[6]

制备具有氧缺陷的过渡金属氧化物的方法 [P].

冯绪勇 ;

王一莎 .

中国专利 :CN107768663B ,2018-03-06

[7]

一种金属氧化物或金属氧化物复合材料的制备方法 [P].

张立娟 ;

付洋 ;

崔成梅 ;

党桃桃 ;

谢钢 ;

杨奇 ;

陈三平 ;

惠俊峰 ;

步怀天 ;

王尧宇 .

中国专利 :CN104752069B ,2015-07-01

[8]

一种针对金属氧化物中氧空位可控生成的方法 [P].

张苗 ;

张竞赟 ;

苏庆梅 ;

杜高辉 ;

许并社 .

中国专利 :CN114314521A ,2022-04-12

[9]

一种金属氧化物材料的制备方法 [P].

金鹏飞 ;

孙延玉 ;

傅巍 ;

刘洋 ;

程振乾 ;

刘玺 ;

王洋洋 ;

任先武 ;

祁欣 ;

周明军 .

中国专利 :CN105540550A ,2016-05-04

[10]

一种金属复合氧化物的制备方法 [P].

佘云川 ;

程谟杰 .

中国专利 :CN1631771A ,2005-06-29

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