发光二极管封装结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310091174.9
申请日
2013-03-21
公开(公告)号
CN104064662A
公开(公告)日
2014-09-24
发明(设计)人
林厚德 陈滨全 陈隆欣
申请人
申请人地址
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
IPC主分类号
H01L3362
IPC分类号
H01L3348
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管封装结构 [P]. 
林厚德 ;
陈滨全 ;
陈隆欣 .
中国专利 :CN104064663B ,2014-09-24
[2]
发光二极管封装结构 [P]. 
林厚德 ;
张超雄 ;
陈滨全 ;
陈隆欣 .
中国专利 :CN103972372A ,2014-08-06
[3]
发光二极管封装结构 [P]. 
吴玉霞 .
中国专利 :CN204651345U ,2015-09-16
[4]
发光二极管封装结构 [P]. 
张耀祖 .
中国专利 :CN103378261A ,2013-10-30
[5]
发光二极管封装结构 [P]. 
张耀祖 .
中国专利 :CN103367598A ,2013-10-23
[6]
发光二极管封装结构 [P]. 
田运宜 .
中国专利 :CN104282814A ,2015-01-14
[7]
发光二极管封装结构 [P]. 
罗杏芬 .
中国专利 :CN103378275A ,2013-10-30
[8]
发光二极管封装结构 [P]. 
杨文华 .
中国专利 :CN202308047U ,2012-07-04
[9]
发光二极管封装结构 [P]. 
陈敬恒 .
中国专利 :CN102456683A ,2012-05-16
[10]
发光二极管封装结构、发光二极管封装模块 [P]. 
简伊辰 ;
徐世昌 .
中国专利 :CN111293199A ,2020-06-16