高压氮化镓肖特基二极管

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专利类型
实用新型
申请号
CN201620147582.0
申请日
2016-02-26
公开(公告)号
CN205406530U
公开(公告)日
2016-07-27
发明(设计)人
A·伊万
申请人
申请人地址
法国图尔
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L2906
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
王茂华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高压氮化镓肖特基二极管 [P]. 
A·伊万 .
中国专利 :CN106486553A ,2017-03-08
[2]
氮化镓肖特基二极管 [P]. 
刘丹 .
中国专利 :CN114864656A ,2022-08-05
[3]
氮化镓肖特基二极管 [P]. 
郝茂盛 ;
袁根如 ;
张楠 .
中国专利 :CN212542440U ,2021-02-12
[4]
氮化镓肖特基二极管 [P]. 
江守权 .
中国专利 :CN212136453U ,2020-12-11
[5]
垂直氮化镓肖特基二极管 [P]. 
A·伊万 ;
D·阿尔奎尔 ;
Y·科尔迪耶 .
中国专利 :CN104821341A ,2015-08-05
[6]
垂直型氮化镓肖特基二极管 [P]. 
弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 ;
奥兹古·阿克塔斯 .
中国专利 :CN110582852A ,2019-12-17
[7]
垂直型氮化镓肖特基二极管 [P]. 
弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫 ;
奥兹古·阿克塔斯 .
美国专利 :CN110582852B ,2024-05-17
[8]
垂直氮化镓肖特基二极管 [P]. 
朱廷刚 ;
安荷·叭剌 ;
黄平 ;
何约瑟 .
中国专利 :CN103107204A ,2013-05-15
[9]
高压横向硅上氮化镓肖特基二极管 [P]. 
安东尼·凯乐塔 ;
道格拉斯·卡尔森 ;
蒂莫西·E·博尔斯 .
中国专利 :CN109314148B ,2019-02-05
[10]
氮化镓肖特基二极管的制备方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107104046A ,2017-08-29