镧镨铈-镍系贮氢合金电极材料

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN99115178.X
申请日
1999-09-28
公开(公告)号
CN1093693C
公开(公告)日
2002-10-30
发明(设计)人
涂铭旌 陈云贵 唐定骧 李宁 阎康平 李全安
申请人
申请人地址
610065四川省成都市一环路南一段24号
IPC主分类号
H01M438
IPC分类号
代理机构
成都立信专利事务所有限公司
代理人
游兰
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
低Co镧镨铈-镍系贮氢合金电极材料 [P]. 
涂铭旌 ;
陈云贵 ;
唐定骧 ;
李全安 ;
李宁 ;
闫康平 .
中国专利 :CN1251472A ,2000-04-26
[2]
抗CO毒化的镧镨铈-镍系贮氢合金 [P]. 
涂铭旌 ;
桑革 ;
陈云贵 ;
阎康平 ;
唐定骧 .
中国专利 :CN1254027A ,2000-05-24
[3]
贮氢合金电极材料 [P]. 
雷永泉 ;
吴京 ;
王启东 ;
陈长聘 ;
李渊鹏 .
中国专利 :CN1095423A ,1994-11-23
[4]
贮氢合金电极材料 [P]. 
雷永泉 ;
江建军 ;
孙大林 ;
陈长聘 ;
王启东 ;
吴京 .
中国专利 :CN1044173C ,1995-04-26
[5]
一种贮氢合金电极材料 [P]. 
雷永泉 ;
江建军 ;
孙大林 ;
陈长聘 ;
王启东 ;
吴京 .
中国专利 :CN1044174C ,1995-04-26
[6]
无钕稀土镁系低温贮氢电极合金 [P]. 
陈云贵 ;
沈向前 ;
陶明大 ;
吴朝玲 .
中国专利 :CN101252184A ,2008-08-27
[7]
无钕稀土系低温贮氢合金电极材料 [P]. 
陈云贵 ;
陶明大 ;
涂铭旌 ;
吴朝玲 .
中国专利 :CN1326264C ,2006-03-15
[8]
贮氢合金电极 [P]. 
伊藤康次郎 ;
伊藤慎一郎 ;
世利肇 ;
汤浅真一 ;
生驹宗久 .
中国专利 :CN1399361A ,2003-02-26
[9]
贮氢合金电极和贮氢合金电极的制造方法 [P]. 
伊势忠司 ;
福田博 ;
井本辉彦 ;
加藤菊子 ;
黑田靖 ;
东山信幸 ;
松浦义典 ;
木本卫 ;
野上光造 ;
藤谷伸 ;
米津育郎 ;
西尾晃治 .
中国专利 :CN1179434C ,1999-09-01
[10]
多相镁稀土镍系贮氢合金 [P]. 
韩树民 ;
刘宝忠 ;
李媛 ;
扈林 ;
裴立超 .
中国专利 :CN101985710B ,2011-03-16