轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810227175.0

申请日：

2008-11-24

公开(公告)号：

CN101740517A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

毛刚王家佳

申请人：

申请人地址：

100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	公开	公开
2012-11-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101461345645 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2008102271750 申请公布日:20100616
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005258978 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2008102271750 申请日:20081124

共 50 条

[1]

具轻掺杂漏极的半导体组件的形成方法 [P].

张世昌 ;

蔡耀铭 .

中国专利 :CN1255872C ,2004-05-26

[2]

轻掺杂漏极的制作方法及半导体器件 [P].

刘群 ;

张松 ;

周耀辉 ;

马雅铃 ;

王德进 ;

李新红 ;

高志宏 .

中国专利 :CN119230594A ,2024-12-31

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106486370A ,2017-03-08

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

王冬江 ;

张翼英 ;

张海洋 .

中国专利 :CN104124150A ,2014-10-29

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN105826264B ,2016-08-03

[6]

半导体器件的源极/漏极区域及其形成方法 [P].

刘威民 ;

舒丽丽 ;

李启弘 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN115084027A ,2022-09-20

[7]

轻掺杂漏极的形成方法 [P].

刘兵武 ;

居建华 .

中国专利 :CN101770950B ,2010-07-07

[8]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

刘国强 ;

熊博文 ;

雷威锋 ;

张恒 ;

王恩博 ;

刘峻 .

中国专利 :CN121152219A ,2025-12-16

[9]

形成轻掺杂漏极的方法 [P].

陈坤宏 .

中国专利 :CN1484286A ,2004-03-24

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

朱永吉 .

中国专利 :CN111081547A ,2020-04-28

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