MOS结构的功率晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820033030.2

申请日：

2008-03-19

公开(公告)号：

CN201174384Y

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

张景超刘利峰刘清军赵善麒

申请人：

申请人地址：

213022江苏省常州市新北区华山中路18号

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

常州市维益专利事务所

代理人：

贾海芬

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-31	授权	授权
2017-05-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101717368125 IPC(主分类):H01L 27/088 专利号:ZL2008200330302 申请日:20080319 授权公告日:20081231 终止日期:20160319

共 50 条

[1]

MOS结构的功率晶体管及其制作方法 [P].

张景超 ;

刘利峰 ;

刘清军 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN101246886B ,2008-08-20

[2]

双栅MOS结构的功率晶体管 [P].

张景超 ;

戚丽娜 ;

刘利峰 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN203774335U ,2014-08-13

[3]

功率晶体管的结终端结构 [P].

李学会 .

中国专利 :CN205004340U ,2016-01-27

[4]

双栅MOS结构的功率晶体管及其制作方法 [P].

张景超 ;

戚丽娜 ;

刘利峰 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN103872136A ,2014-06-18

[5]

一种MOS结构的功率晶体管 [P].

钟平权 .

中国专利 :CN215118887U ,2021-12-10

[6]

功率MOS晶体管的制造方法 [P].

刘宪周 ;

克里斯蒂安·皮尔森 .

中国专利 :CN101567338A ,2009-10-28

[7]

功率MOS晶体管的制造方法 [P].

刘宪周 ;

克里斯蒂安·皮尔森 .

中国专利 :CN101567320B ,2009-10-28

[8]

功率晶体管的制造方法和功率晶体管 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104835739B ,2015-08-12

[9]

晶体管器件的终端结构 [P].

朱袁正 ;

张硕 .

中国专利 :CN207097828U ,2018-03-13

[10]

沟槽型MOS晶体管 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212810310U ,2021-03-26

← 1 2 3 4 5 →