一种羟基氧化铁薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611092957.9

申请日：

2016-12-02

公开(公告)号：

CN106521461A

公开(公告)日：

2017-03-22

发明(设计)人：

岳衡杨园铃祝怀凤

申请人：

申请人地址：

250000 山东省济南市碧梧街2号楼

IPC主分类号：

C23C1812

IPC分类号：

代理机构：

济南泉城专利商标事务所 37218

代理人：

张菡

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	公开	公开
2017-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101714015859 IPC(主分类):C23C 18/12 专利申请号:2016110929579 申请日:20161202
2020-11-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 18/12 申请日:20161202 授权公告日:20180814 终止日期:20191202
2018-08-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种α型羟基氧化铁膜层的制备方法 [P].

岳衡 ;

李晓宇 ;

杨东旭 ;

邵明星 ;

张鸿武 ;

高明德 ;

荆象阳 ;

尚国强 ;

马永泉 ;

卫华峰 ;

岳增武 ;

李新梅 ;

菅明健 .

中国专利 :CN117535651A ,2024-02-09

[2]

制备羟基氧化铁的方法和含有羟基氧化铁的吸附材料 [P].

前一广 ;

牧泰辅 ;

山本笃志 .

中国专利 :CN101119934A ,2008-02-06

[3]

纳米羟基氧化铁及其制备方法 [P].

康升红 ;

汪国忠 ;

方明 ;

刘毛 ;

王慧敏 ;

邓泉 .

中国专利 :CN103172123A ,2013-06-26

[4]

一种羟基氧化铁和氧化铁纳米材料的制备方法 [P].

张爱民 ;

董玉明 ;

王光丽 ;

杨红晓 .

中国专利 :CN101693558A ,2010-04-14

[5]

羟基氧化铁粒子的制造方法 [P].

河濑美香 ;

佐藤守 .

中国专利 :CN101274781A ,2008-10-01

[6]

一种纳米α-羟基氧化铁的制备方法 [P].

程相林 ;

毕秦岭 ;

赵建宏 ;

金建 .

中国专利 :CN111661878A ,2020-09-15

[7]

制备羟基氧化铁(FeOOH)的方法和包含羟基氧化铁的锂硫电池正极 [P].

韩承勋 ;

孙权男 ;

梁斗景 ;

李东旭 ;

文桢渼 .

中国专利 :CN109792039B ,2019-05-21

[8]

一种制备棒状β-羟基氧化铁的方法 [P].

吴莹 ;

马文结 ;

韩彩芹 ;

谢凤荣 .

中国专利 :CN109081380B ,2018-12-25

[9]

一种羟基氧化铁的制备方法及其应用 [P].

江莉龙 ;

马永德 ;

曹彦宁 ;

林科 .

中国专利 :CN108101116B ,2018-06-01

[10]

一种无定型羟基氧化铁的制备方法 [P].

张君 ;

刘营 ;

高群仰 ;

刘玉军 .

中国专利 :CN105502509A ,2016-04-20

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