半导体结构及半导体结构的制备方法

被引：0

申请号：

CN202111367380.9

申请日：

2021-11-18

公开(公告)号：

CN114335175A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

柳月波赖灿雄杨少华路国光

申请人：

申请人地址：

511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	公开	公开
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20211118

共 50 条

[1]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

白杰 ;

尤康 .

中国专利 :CN114695269A ,2022-07-01

[2]

半导体结构及半导体结构的制备方法 [P].

赵永丽 ;

陆勇 ;

徐亚超 .

中国专利 :CN117832196A ,2024-04-05

[3]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

白杰 ;

尤康 .

中国专利 :CN114695269B ,2024-07-23

[4]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王祥升 ;

王少华 ;

桂文华 ;

段晶晶 ;

王桂磊 ;

艾学正 ;

赵超 .

中国专利 :CN119815824A ,2025-04-11

[5]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

林宝伟 ;

曹雪婷 ;

庞洪荣 ;

仇峰 ;

杨召 .

中国专利 :CN119967840A ,2025-05-09

[6]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

程代亮 ;

吴贤勇 ;

杨顺舟 ;

赵文侠 .

中国专利 :CN119364793A ,2025-01-24

[7]

半导体结构的制备方法及半导体结构 [P].

王祥升 ;

王少华 ;

桂文华 ;

段晶晶 ;

王桂磊 ;

艾学正 ;

赵超 .

中国专利 :CN119815824B ,2025-12-12

[8]

半导体结构及半导体结构的制作方法 [P].

沈宇桐 .

中国专利 :CN115602723A ,2023-01-13

[9]

制备半导体结构的方法、半导体结构及半导体器件 [P].

杨国文 ;

惠利省 .

中国专利 :CN114783869A ,2022-07-22

[10]

半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件 [P].

吴恒 ;

卢浩然 ;

刘煜 ;

葛延栋 ;

王润声 ;

黎明 ;

黄如 .

中国专利 :CN118039565A ,2024-05-14

← 1 2 3 4 5 →