触发可控硅控制单元和控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611041953.8

申请日：

2016-11-24

公开(公告)号：

CN106655723A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

张贵德谢祥伟戴迪成川罗俊郑华刘浔黄瑶玲吴萍王丽丽韩旭鹏

申请人：

申请人地址：

100031 北京市西城区西长安街86号

IPC主分类号：

H02M106

IPC分类号：

代理机构：

武汉开元知识产权代理有限公司 42104

代理人：

潘杰;李满

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2017-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101724577281 IPC(主分类):H02M 1/06 专利申请号:2016110419538 申请日:20161124

共 50 条

[1]

触发可控硅控制单元 [P].

张贵德 ;

谢祥伟 ;

戴迪 ;

成川 ;

罗俊 ;

郑华 ;

刘浔 ;

黄瑶玲 ;

吴萍 ;

王丽丽 ;

韩旭鹏 .

中国专利 :CN206180828U ,2017-05-17

[2]

集群可控硅触发控制模块 [P].

石捍卫 .

中国专利 :CN202794989U ,2013-03-13

[3]

一种激光出发可控硅控制单元 [P].

黄斌 ;

唐伟杰 ;

周小冰 .

中国专利 :CN210093786U ,2020-02-18

[4]

一种可控硅触发控制方法 [P].

刘全喜 ;

郑铠 ;

魏肃 ;

杨叔仲 ;

刘双春 ;

柴智 .

中国专利 :CN103595387A ,2014-02-19

[5]

可控硅单元和补偿控制电路 [P].

孙继承 ;

欧阳兴元 .

中国专利 :CN206379728U ,2017-08-04

[6]

可控硅控制方法和设备 [P].

金恩光 .

中国专利 :CN87106772A ,1988-06-01

[7]

窄脉冲过零触发可控硅控制开关 [P].

于凌珠 ;

罗民雄 ;

黎明 .

中国专利 :CN2237903Y ,1996-10-16

[8]

一种可控硅模块安装控制单元 [P].

冯旭 ;

章学胜 ;

刘卫东 ;

杨庆智 .

中国专利 :CN202617579U ,2012-12-19

[9]

可控硅新型异步触发控制器 [P].

朴泰雄 .

中国专利 :CN87207752U ,1988-08-10

[10]

双向可控硅脉冲触发控制系统 [P].

黄善兵 .

中国专利 :CN109782642A ,2019-05-21

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