图像传感器的具有2晶体管结构的单位像素及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680023576.3

申请日：

2006-06-21

公开(公告)号：

CN101213670A

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

李道永

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦;方挺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-02	公开	公开
2011-07-13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101114497675 IPC(主分类):H01L 27/146 专利申请号:2006800235763 公开日:20080702

共 50 条

[1]

扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN104394338A ,2015-03-04

[2]

扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构 [P].

郭同辉 ;

旷章曲 .

中国专利 :CN204217043U ,2015-03-18

[3]

晶体管、具有晶体管的图像传感器及其制造方法 [P].

河万崙 .

中国专利 :CN102165590A ,2011-08-24

[4]

图像传感器像素及其制造方法 [P].

朴哲秀 .

中国专利 :CN101203959A ,2008-06-18

[5]

像素间采用共享晶体管的CMOS图像传感器 [P].

何新平 ;

杨宏利 .

中国专利 :CN1652345A ,2005-08-10

[6]

包括具有垂直沟道的晶体管的图像传感器及其制造方法 [P].

李元奭 ;

沈殷燮 .

中国专利 :CN115440755A ,2022-12-06

[7]

包含具有镜像晶体管布局的像素单元的图像传感器 [P].

陈刚 ;

毛杜利 ;

戴幸志 .

中国专利 :CN104009049B ,2014-08-27

[8]

四晶体管CMOS图像传感器及其制造方法 [P].

陈华伦 ;

熊涛 ;

陈瑜 ;

陈雄斌 ;

罗啸 .

中国专利 :CN101752392A ,2010-06-23

[9]

图像传感器的像素结构及其制备方法、图像传感器 [P].

杨瑞坤 .

中国专利 :CN114914255A ,2022-08-16

[10]

图像传感器的像素结构及其制备方法、图像传感器 [P].

杨瑞坤 .

中国专利 :CN114914255B ,2025-07-18

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